多晶硅生产制备及装置设备专利大全
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1 CN02123086.2 轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
2 CN02137592.5 用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
3 CN01132674.3 在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
4 CN01140819.7 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
5 CN02137784.7 多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
6 CN02146376.X 利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
7 CN02159740.5 一种功率型多晶硅发射极晶体管
8 CN02152432.7 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
9 CN02151126.8 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
10CN01808503.2 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
11CN02125156.8 多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
12CN02126851.7 降低多晶硅层洞缺陷的方法
13CN02157198.8 多晶硅界定阶跃恢复器件
14CN03114762.3 多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
15CN01808503.2 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
16CN01129599.6 N型掺杂多晶硅的制造方法
17CN02125156.8 多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
18CN02126851.7 降低多晶硅层洞缺陷的方法
19CN02157198.8 多晶硅界定阶跃恢复器件
20CN03101694.4 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
21CN01810701.X 多晶硅棒及其加工方法
22CN02102708.0 去除多晶硅残留的方法
23CN02102709.9 去除多晶硅残留的方法
24CN02104780.4 多晶硅间介电层的制造方法
25CN02124913.X 低温多晶硅有机电激发光装置的制法
26CN02120387.3 一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
27CN02146954.7 形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
28CN02123180.X 低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
29CN01815622.3 多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
30CN03109895.9 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
31CN02155288.6 制作多晶硅薄膜的方法
32CN01125091.7 避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
33CN02106426.1 多晶硅膜的制造方法
34CN96111663.3 多晶硅表面金属杂质的清除
35CN96110663.8 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
36CN95121117.X 注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
37CN96117958.9 用多晶硅原料制备熔硅的方法
38CN97103959.3 在集成电路上制造互连的多晶硅对多晶硅低电阻接触方法
39CN97109724.0 利用氧化物与多晶硅隔离垫制造高密度集成电路的方法
40CN95196596.4 引入堆叠箱式电容单元的数兆位动态存储器的劈开－多晶硅CMOS工艺
41CN85100529 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
42CN85103942 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
43CN87100294 一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
44CN87102505在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
45CN89100864.0 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
46CN93101559.6 具有多晶硅薄膜的半导体器件
47CN95104684.5 利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法
48CN97190589.4 多晶硅棒及其制造方法
49CN96196923.7 多晶硅电阻及其制造方法
50CN98101933.1 具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
51CN98106080.3 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
52CN98117482.5 多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
53CN97122618.0 梯形多晶硅插塞及其制造方法
54CN97197118.8 稳定的多晶硅电阻器和制造它的方法
55CN98105624.5 利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
56CN99101316.6 改进的多晶硅－硅化物
57CN98102573.0 一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
58CN97120443.8 增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法
59CN97120453.5 具有P<sup>＋</sup>多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
60CN96198989.0 多晶硅的制造方法和装置以及太阳能电池用硅基片的制造方法
61CN98118732.3 可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
62CN99124899.6 形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
63CN99127057.6 三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法
64CN98810175.0 用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
65CN99107074.7 多晶硅二极管的静电放电保护装置
66CN98122620.5 具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法
67CN98803292.9 利用放热反应制备多晶硅的方法
68CN00120190.5 用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
69CN01110906.8 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
70CN00801552.X 单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法
71CN01116626.6 制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法
72CN99813247.0 多晶硅电阻器及其制造方法
73CN01108131.7 多晶硅薄膜的制造方法
74CN01120328.5 多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
75CN01121891.6 多晶硅的评价方法
76CN99815584.5 高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
77CN00126366.8 使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
78CN00804829.0 具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
79CN00128798.2 多晶硅化钨栅极的制造方法
80CN02112524.4 采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法
81CN01138535.9 横向多晶硅PIN二极管及其制造方法
82CN00135749.2 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
83CN01140960.6 制备多晶硅颗粒的方法和装置
84CN00810694.0 多晶硅化学气相沉积方法和装置
85CN02108099.2 评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
86CN01801220.5 多晶硅、其生产方法及生产装置
87CN02102090.6 用于评估多晶硅薄膜的装置
88CN01110401.5 基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
89CN01137905.7 为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
90CN01133118.6 液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
91CN00815428.7 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
92CN00815450.3 用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法
93CN95239084.1 多晶硅膜微压传感器
94CN96213793.6 在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置
95CN02146581.9 多晶硅层的制作方法
96CN01818537.1 由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
97CN03127506.0 采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
98CN02141690.7 在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
99CN03156160.8 制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
100 CN03155080.0 用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
101 CN03147935.9 形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
102 CN03132786.9 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
103 CN03158763.1 多晶硅的蚀刻方法
104 CN02157809.5 形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
105 CN02151448.8 多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
106 CN02149395.2 多晶硅层的制作方法
107 CN02150450.4 利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
108 CN02151447.X 多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
109 CN02150428.8 多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
110 CN02158617.9 一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
111 CN03101577.8 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
112 CN200410031320.X 多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
113 CN200410003656.5 多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
114 CN03119145.2 内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
115 CN03105365.3 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
116 CN02814101.6 具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
117 CN02126452.X 用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
118 CN01815870.6 玻璃衬底的预多晶硅被覆
119 CN03122982.4 低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
120 CN03122318.4 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
121 CN03109410.4 低温多晶硅薄膜的制造方法
122 CN03109485.6 低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
123 CN200310110056.4 制备多晶硅的方法
124 CN200310117094.2 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
125 CN200310115895.5 多晶硅的定向生长方法
126 CN200310117095.7 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
127 CN02816785.6 光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
128 CN03137831.5 将非晶硅转换为多晶硅的方法
129 CN03123932.3 具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
130 CN03123733.9 低温多晶硅薄膜电晶体的结构
131 CN03141245.9 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
132 CN03141252.1 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
133 CN200410021979.7 多晶硅氢还原炉
134 CN03142882.7 多晶硅薄膜的制造方法
135 CN03149089.1 薄膜晶体管的多晶硅制造方法
136 CN03142448.1 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
137 CN03145338.4 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
138 CN03147277.X 多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的电路布局方法
139 CN03147491.8 具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
140 CN03143605.6 于基板上形成多晶硅层的方法
141 CN02820458.1 半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
142 CN03155811.9 形成多晶硅层的方法
143 CN02822314.4 用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
144 CN02822606.2 用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
145 CN200410046199.8 具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法
146 CN200410071242.6 包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
147 CN03143668.4 形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法
148 CN200410038278.4 底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
149 CN03153082.6 低温多晶硅平面显示面板
150 CN03152618.7 多晶硅层的结晶方法
151 CN03153211.X 多晶硅薄膜的制造方法
152 CN03149649.0 多晶硅薄膜的制造方法
153 CN200410005025.7 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
154 CN200410042335.6 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
155 CN200410058928.1 制造多晶硅层的方法
156 CN200410062489.1 提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
157 CN200410069751.5 半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
158 CN02823048.5 具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
159 CN03150598.8 多晶硅层的处理方法
160 CN03155605.1 形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
161 CN200410010970.6 一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法
162 CN200410010983.3 多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
163 CN03134816.5 基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
164 CN200410078639.8 半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
165 CN200410083540.7 具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
166 CN200310108057.5 在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
167 CN200310108060.7 利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
168 CN02826542.4 具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
169 CN200410084917.0 制作低温多晶硅薄膜的方法
170 CN200410097453.7 制造多晶硅层的方法及其光罩
171 CN200410064831.1 一种制备多晶硅绒面的方法
172 CN200410087099.X 避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
173 CN200410087100.9 减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
174 CN200410100598.8 多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
175 CN200410088647.0 包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法
176 CN200410102169.4 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
177 CN200410103815.9 多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
178 CN200410065842.1 测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
179 CN200410090133.9 超小粒径多晶硅的结构和方法
180 CN200310122594.5 三维多晶硅只读存储器及其制造方法
181 CN200510004161.9 光罩与应用其形成多晶硅层的方法
182 CN200310122634.6 集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法
183 CN200310123443.1 低温多晶硅薄膜的制造方法
184 CN200410085784.9 多晶硅膜的形成方法
185 CN200410085785.3 多晶硅膜的形成方法
186 CN200410082255.3 制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
187 CN200410085786.8 多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
188 CN03804814.0 多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
189 CN02825279.9 利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
190 CN200510051959.9 具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
191 CN200310121274.8 半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
192 CN200510007961.6 制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
193 CN200410104972.1 无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
194 CN200410028649.0 形成多晶硅锗层的方法
195 CN200510051125.8 用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
196 CN200410039968.1 多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
197 CN200510063890.1 制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
198 CN200410026941.9 低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
199 CN200510002342.8 多晶硅薄膜的制造方法
200 CN200510002964.0 一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
201 CN200510129672.3 减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
202 CN200510135886.1 由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
203 CN200510126605.6 光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
204 CN200610065676.4 一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
205 CN200510039283.1 多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
206 CN200410017895.6 一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
207 CN200410057296.7 多晶硅液晶显示器件的制造方法
208 CN200510076239.8 具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
209 CN02824656.X 具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
210 CN200410037914.1 以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
211 CN200510027270.2 电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
212 CN200510051939.1 多晶硅薄膜晶体管的制作方法
213 CN200510039283.1 多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
214 CN200410027101.4 低温多晶硅显示装置及其制作方法
215 CN200410017895.6 一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
216 CN200410057296.7 多晶硅液晶显示器件的制造方法
217 CN200510076239.8 具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
218 CN02824656.X 具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
219 CN200410037914.1 以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
220 CN200510027270.2 电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
221 CN200510078600.0 多晶硅的生产装置
222 CN200410018463.7 形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
223 CN200410018450.X 利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
224 CN200410018452.9 利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
225 CN200410018455.2 形成T型多晶硅栅极的方法
226 CN200410047532.7 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
227 CN200410047533.1 15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
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