单晶硅生产制备及装置设备专利大全
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1 CN01805741.1 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
2 CN01806781.6 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
3 CN02111781.0 分离单晶硅埚底料中石英的工艺
4 CN03112137.3 单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法
5 CN02802101.0 直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
6 CN96120692.6 抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置
7 CN85100856 制备单晶硅片表面完整层的新途径
8 CN88108387.9 单晶硅的制造方法和设备
9 CN85100591 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
10CN87103486 掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法
11CN88108387.9 单晶硅的制造方法和设备
12CN89103289.4 一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
13CN90100791.9 单晶硅生产装置
14CN90102475.9 制造单晶硅的设备
15CN91102921.4 单晶硅直径测定法及其设备
16CN91102922.2 单晶硅直径控制法及其设备
17CN91102924.9 单晶硅生产设备
18CN91102923.0 单晶硅生产设备
19CN91102532.4 单晶硅生产设备
20CN91102343.7 制造单晶硅的装置
21CN95119376.7 单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法
22CN96102527.1 单晶硅锭及其制造方法
23CN97113523.1 提拉单晶硅的装置
24CN97120661.9 直拉生长单晶硅期间实时监测和控制氧的一氧化硅探针
25CN97121626.6 双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法
26CN98100416.4 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
27CN98116827.2 单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其制作方法
28CN97113737.4 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
29CN98121350.2 单晶硅片抗机械力的提高
30CN98807859.7 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
31CN98807993.3 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
32CN99801049.9 形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
33CN99812088.X 热退火后的低缺陷密度单晶硅
34CN99811709.9 从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
35CN01131737.X 标定单晶硅晶圆晶向的方法
36CN00812335.7 制备具有均匀热过程的单晶硅的方法
37CN02111221.5 单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
38CN02281654.2 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
39CN89213391.0 区熔单晶炉单晶硅棒夹持机构
40CN93200611.6 单晶硅太阳电池微电机风扇凉帽
41CN96236137.2 单晶硅片各向异性腐蚀夹具
42CN95224595.7 用于制备薄膜的单晶硅辐射式加热器
43CN97239008.1 单晶硅炉传动轴用磁性液体密封装置
44CN00224737.2 单晶硅衬底双面抛光片
45CN00225900.1 单晶硅炉传动轴用磁性流体密封装置
46CN03159798.X 单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置
47CN03132132.1 平板单晶硅表面的改性方法
48CN01821381.2 用于制备低铁污染单晶硅的装置和方法
49CN01819895.3 用于控制空位为主的单晶硅热过程的方法
50CN02131185.4 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
51CN02804207.7 用于制备具有改善的栅氧化层完整性的单晶硅的方法
52CN02155236.3 单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法
53CN200310123043.0 硅片和生产单晶硅的方法
54CN200410001382.6 单晶硅膜的制造方法
55CN200310108926.4 单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法
56CN200310124860.8 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
57CN200410092027.4 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
58CN200310116749.4 一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
59CN200410096670.4 具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
60CN03808958.0 单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
61CN03810538.1 单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
62CN200510023460.7 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
63CN200510023461.1 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
64CN03818379.X 提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
65CN200510062693.8 涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质
66CN200510059736.7 直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法
67CN200510112207.9 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
68CN200610004057.4 一种生产硅铁、硅钙和单晶硅的原料的加工方法
69CN200510068987.1 单晶硅液晶显示面板的驱动系统与方法
70CN200510011753.3 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法
71CN200410042603.4 单晶硅微机械加工的电容式麦克风及其制造方法
72CN200510050335.5 用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法
73CN200510027350.8 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
74CN200510027349.5 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
75CN200510098526.9 纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
76CN200380108637.2 利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法
77CN200410088609.5 一种单晶硅抛光片热处理工艺
78CN200610024981.9 单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
79CN200610024980.4 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
80CN200610026855.7 单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法
81CN200610010099.9 对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪
82CN200610054245.8 p型单晶硅片的表面处理方法
83CN200610054246.2 n型单晶硅片的表面处理方法
84CN200610043184.5 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
85CN200610043185.X 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
86CN200610106431.1 掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法
87CN200610043186.4 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
88CN200610043187.9 单晶硅拉制炉用热场炭/炭导流筒的制备方法
89CN200610099146.1 单晶硅锭和硅片、及其生长装置和方法
90CN200510092880.0 单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器
91CN200510092319.2 反射式单晶硅液晶面板以及使用此液晶面板的投影装置
92CN200610048750.1 一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法
93CN200510094904.6 单晶硅切方机构
94CN200510111453.2 制作单晶硅太阳电池绒面的方法
95CN200510111455.1 单晶硅太阳电池绒面的制备方法
96CN200510136041.4 单晶硅制备中稀土镧系基合金吸气剂提纯氩气与氩气回收工艺
97CN200610149906.5 生产单晶硅的方法
98CN200610105331.7 基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法
99CN200610105332.1 直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法
100 CN200710037043.7 在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
101 CN200710037045.6 单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
102 CN200710017915.3 单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法
103 CN200610080114.7 反射式单晶硅液晶面板
104 CN03231427.2 双面光照单晶硅太阳电池
105 CN200520076510.3 单晶硅切方装置
106 CN200520113172.6 反射式单晶硅液晶面板以及使用此液晶面板的投影装置
107 CN200620002303.8 单晶硅棒切方滚磨机床
108 CN200620003851.2 直拉法单晶硅生产用石英坩埚
109 CN200520110444.7 单晶硅棒切方滚磨机床
110 CN200520043749.0 N型基体单晶硅太阳电池
111 CN200620117810.6 区熔单晶硅炉
112 CN200620117812.5 区熔单晶硅生长炉
113 CN200620117926.X 单晶硅炉控制装置
114 CN200620117811.0 软轴单晶硅炉
115 CN200620047100.0 丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池
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