硅膜生产制备及装置设备专利大全
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1 CN02129797.5 硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法
2 CN00816776.1 多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法
3 CN02106299.4 制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法
4 CN02158825.2 氧化硅膜制作方法
5 CN02159060.5 提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
6 CN03123816.5 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
7 CN03110610.2 高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法
8 CN03121837.7 氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
9 CN01814050.5 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
10CN02106426.1 多晶硅膜的制造方法
11CN90101766.3 生产具有含有有机着色剂的二氧化硅膜的积层材料的方法和由此生产的积层材料
12CN90104145.9 一种硅膜压阻压力传感器及其制造方法
13CN90104651.5 一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
14CN90104888.7 一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法
15CN93107560.2 硅膜改性弹性玻璃毛细管柱的制备
16CN95106423.1 结晶硅膜、半导体器件及其制造方法
17CN98124902.7 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
18CN98126184.1 形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法
19CN98801852.7 制备薄硅膜的方法
20CN98804239.8 氧化硅膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、显示装置和红外光照射装置
21CN99813034.6 玻璃的二氧化硅膜织构化
22CN00800439.0 硅膜成形方法
23CN00800438.2 硅膜的形成方法和喷墨用油墨组合物
24CN00102468.X 高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法
25CN01120328.5 多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
26CN99815066.5 由含表面活性剂的溶液制备的中孔二氧化硅膜及其制备方法
27CN02118173.X 除去氮化硅膜的方法
28CN85201923 在硅膜中心部位设置四端单元件的力敏器件
29CN88201030 矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器
30CN95239084.1 多晶硅膜微压传感器
31CN01258490.8 中频反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备
32CN03164952.1 一种多孔氧化硅膜的制备方法
33CN01823121.7 边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法
34CN02150735.X 纳米硅膜生物传感器
35CN02140568.9 利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法
36CN200410001382.6 单晶硅膜的制造方法
37CN03801435.1 硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法
38CN200410054711.3 硅膜传感器芯片的封装
39CN200410054711.3 硅膜传感器芯片的封装
40CN02823659.9 用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
41CN200410057765.5 非晶质硅膜的结晶方法
42CN200410090926.0 掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
43CN200410085784.9 多晶硅膜的形成方法
44CN200410085785.3 多晶硅膜的形成方法
45CN200410085786.8 多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
46CN200410104615.5 生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂
47CN200410037914.1 以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
48CN200480000672.7 硅烷聚合物及硅膜的形成方法
49CN200510066834.3 借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
50CN200510084288.6 氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置
51CN200380108258.3 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
52CN200480005345.0 生产氢化碳氧化硅膜的方法
53CN200410011800.X 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
54CN200510051754.0 氮化硅膜的制造方法
55CN200610066216.3 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
56CN200510066426.8 一种介孔二氧化硅膜的制备方法
57CN200510025454.5 一种氮化硅膜的生长方法
58CN200510087160.5 氮化硅膜形成方法及装置
59CN200510128973.4 二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
60CN200610100571.8 氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序
61CN200510080718.7 薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
62CN200580003451.X 应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
63CN200580009409.9 硅膜形成装置
64CN200610149888.0 用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
65CN200580024991.6 具有控制应力的氮化硅膜
66CN200580024380.1 用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
67CN200580027656.1 制备氮化硅膜的方法
68CN200580029122.2 氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
69CN200610003079.9 多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
70CN200610076696.1 一种介孔二氧化硅膜及一种抗生素制药废水净化处理方法
71CN03264756.5 浮法线锡槽内玻璃镀硅膜的设备
72CN200410061738.5 氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
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