氮化镓生产制备及应用专利大全
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1 CN02142450.0 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
2 CN02141658.3 氮化镓半导体激光器
3 CN02145712.3 单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
4 CN02113084.1 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
5 CN02145468.X 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
6 CN02112311.X 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
7 CN02112412.4 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8 CN03113769.5 氮化镓晶体的制造方法
9 CN01810897.0 氮化镓层的制备方法
10CN03104233.3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
11CN01812915.3 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
12CN03118955.5 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
13CN03110256.5 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
14CN03110199.2 以氮化镓为基底的半导体发光装置
15CN00818903.X 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法
16CN02801951.2 氮化镓的块状单结晶的制造方法
17CN00817182.3 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
18CN94106935.4 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
19CN94194481.6 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
20CN97118284.1 氮化镓序列的复合半导体发光器件
21CN97117796.1 氮化镓晶体的制造方法
22CN97122567.2 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
23CN96193819.6 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
24CN97129713.4 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
25CN98106378.0 氮化镓结晶的制造方法
26CN98106206.7 氮化镓晶体的制备方法
27CN99106909.9 氮化镓单晶衬底及其制造方法
28CN98111554.3 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
29CN98118311.5 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
30CN98108246.7 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
31CN98811437.2 氮化镓外延层的制造方法
32CN99119067.X 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
33CN99119719.4 一种氮化镓单晶的热液生长方法
34CN99119773.9 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
35CN99803400.2 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
36CN00129633.7 一种制备氮化镓基 LED的新方法
37CN00131158.1 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
38CN00106194.1 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
39CN00106264.6 氮化镓化合物半导体制造方法
40CN99807244.3 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
41CN00126376.5 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
42CN99813628.X 用横向生长制备氮化镓层
43CN00131322.3 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
44CN01137373.3 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法
45CN01100889.X 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
46CN02102460.X 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
47CN02117329.X 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
48CN02105907.1 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
49CN02105608.0 氮化镓荧光体及其制造方法
50CN01116900.X 氮化镓单晶膜的制造方法
51CN02113085.X 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
52CN02292589.9 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
53CN02292590.2 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
54CN02292591.0 氮化镓基LED的发光装置
55CN03145867.X 氮化镓系化合物半导体发光器件
56CN03145868.8 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
57CN03145869.6 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
58CN03145870.X 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
59CN02138461.4 亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
60CN02145890.1 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
61CN03157390.8 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
62CN02146269.0 氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
63CN200310119925.X 局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
64CN02149351.0 制备氮化镓单晶薄膜的方法
65CN200310116177.X 制造氮化镓半导体发光器件的方法
66CN02808020.3 氮化镓系列化合物半导体元件
67CN03100249.8 氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
68CN02159324.8 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
69CN03110867.9 溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
70CN03119842.2 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法
71CN03135064.X 金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
72CN03120597.6 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法
73CN03106434.5 氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法
74CN03800646.4 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
75CN02814526.7 基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
76CN02135164.3 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法
77CN03121877.6 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
78CN200310109249.8 光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
79CN200310109268.0 一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
80CN03158766.6 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
81CN200310121092.0 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
82CN200310121093.5 激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法
83CN02817912.9 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
84CN02817829.7 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
85CN200410006179.8 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
86CN03138736.5 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
87CN03147948.0 氮化镓系异质结构光二极体
88CN03147951.0 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
89CN02821830.2 烧结的多晶氮化镓
90CN03139103.6 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
91CN200410053351.5 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
92CN200410066479.5 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
93CN200410053350.0 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
94CN03151054.X 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
95CN200410068332.X 氮化镓外延层的制造方法
96CN200410091050.1 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
97CN200410065181.2 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
98CN200410086564.8 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
99CN200410088165.5 氮化镓基半导体器件及其制造方法
100 CN01802460.2 I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、基于氧化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源
101 CN200410089448.1 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
102 CN200410031246.1 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
103 CN200310117000.1 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
104 CN200310119745.1 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
105 CN200310120176.2 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
106 CN200310120544.3 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
107 CN200410065676.5 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
108 CN200510000296.8 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
109 CN200510051675.X 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
110 CN200410000201.8 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
111 CN200410000889.X 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
112 CN03812891.8 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
113 CN200410006381.0 氮化镓系发光组件及其制造方法
114 CN200410006382.5 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
115 CN03813924.3 富镓氮化镓薄膜的制造方法
116 CN200410008515.2 氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
117 CN03816873.1 氮化镓类化合物半导体装置
118 CN200410098373.3 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
119 CN200510025439.0 紫外双波段氮化镓探测器
120 CN200510025438.6 氮化镓紫外探测器
121 CN200410031469.8 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
122 CN03820771.0 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
123 CN200410033586.8 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
124 CN200410033587.2 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
125 CN200510128772.4 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
126 CN200510134125.4 氮化镓半导体装置的封装
127 CN200380100487.0 基于氮化镓的装置和制造方法
128 CN200510026720.6 氮化镓基紫外-红外双色集成探测器
129 CN200480000484.4 氮化镓系发光器件
130 CN200410046039.3 生长高阻氮化镓外延膜的方法
131 CN200410046040.6 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
132 CN200410046195.X 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
133 CN200410048228.4 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
134 CN200410062336.7 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
135 CN200410071058.1 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
136 CN200410058033.8 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
137 CN200410058034.2 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
138 CN200410058035.7 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
139 CN200410058036.1 适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
140 CN200410058037.6 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
141 CN200510028366.0 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
142 CN200510021536.2 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
143 CN200510036162.1 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
144 CN200510028370.7 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
145 CN200410074363.6 PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
146 CN200410073928.9 氮化镓系发光二极管结构
147 CN200410073931.0 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
148 CN200410073932.5 氮化镓系发光二极管的制作方法
149 CN200380109711.2 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
150 CN200410078346.X 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
151 CN200410078343.6 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
152 CN200410078345.5 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
153 CN200410078347.4 氮化镓发光二极管结构
154 CN200410078348.9 氮化镓二极管装置的缓冲层结构
155 CN200410080143.4 氮化镓系发光二极管
156 CN200410081010.9 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
157 CN200480006280.1 氮化镓单晶基板及其制造方法
158 CN200510108383.5 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
159 CN200510029388.9 氮化镓基高单色性光源阵列
160 CN200410088729.5 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法
161 CN200510115278.4 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
162 CN200510030062.8 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
163 CN200510110630.5 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
164 CN200510110629.2 氮化镓基光子晶体激光二极管
165 CN200410009858.0 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
166 CN200410095294.7 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
167 CN200410097276.2 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
168 CN200410009922.5 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
169 CN200510111361.4 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
170 CN200510110631.X 氮化镓基发光二极管指示笔
171 CN200410009990.1 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
172 CN200410077337.9 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
173 CN200410098518.X 高亮度氮化镓类发光二极体结构
174 CN200510048197.7 一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
175 CN200510120085.8 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
176 CN200480013908.0 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
177 CN200510095245.8 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
178 CN200510113997.2 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
179 CN200410101891.6 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
180 CN200480015116.7 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
181 CN200510105377.4 用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
182 CN200410101871.9 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
183 CN200510095658.6 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
184 CN200510048111.0 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
185 CN200510064401.4 氮化镓系发光二极管
186 CN200610006436.7 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
187 CN200610023694.6 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
188 CN200610033365.X 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
189 CN200610024155.4 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
190 CN200610024615.3 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
191 CN200510128773.9 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
192 CN200610067517.8 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
193 CN200610067523.3 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
194 CN200610035321.0 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
195 CN200610067141.0 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
196 CN200610067142.5 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
197 CN200610078085.0 垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
198 CN200510124621.1 氮化镓基化合物半导体器件
199 CN200510072427.3 氮化镓基蓝光发光二极管
200 CN200510040096.5 氮化镓薄膜材料的制备方法
201 CN200610074303.3 氮化镓类半导体元件及其制造方法
202 CN200610087785.6 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
203 CN200610088655.4 氮化镓半导体器件
204 CN200510011812.7 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
205 CN200510011813.1 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
206 CN200510071592.7 氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
207 CN200610089338.4 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
208 CN200610092944.1 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
209 CN200610028490.1 氮化镓基圆盘式单色光源列阵
210 CN200610078387.8 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
211 CN200610100314.4 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
212 CN200610093660.4 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
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