硅膜生产制备方法大全
|
硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法
一种用于制造太阳能电池半导体薄膜的硅烷组合物，所述硅烷组合物含有：用式SinRm所示的聚硅烷化合物(式SinRm中，n为3以上的整数，m为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数)和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选择的至少一种硅烷化合物。
多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法
一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法
本发明提供半导体器件制造方法，其采用可以很容易地去除蚀刻阻止膜或碳化硅制成的硬掩膜的工艺。具体地，在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力不同于碳化硅的绝缘材料制成。在第一膜上形成由加氢的碳化硅制成的第二膜。在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜。通过以光刻胶掩膜作为蚀刻掩膜，并使用添加SF6和NF3中的至少一个的碳氟化合物气体的混合气体对第二膜进行干蚀刻。以第二膜作为掩膜，对第一膜进行蚀刻。
氧化硅膜制作方法
本发明提供一种在用RS-CVD装置时制作氧化硅膜(SiO2膜)时可以提高原子状氧的产生效率而使氧化硅膜的膜质提高的氧化硅膜制作方法。相对于导入等离子体生成空间的含有氧原子气体(O2气体或O3气体等)添加含有氮原子的气体(N2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体等)，通过使由这些气体生成的等离子体生成的等离子体生成空间的原子状氧量增加解决了课题。
提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的Kapp值可增加约50％左右。
氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
本发明的目的在于应用一种在玻璃衬底上、在应变点之下的温度下形成可用作为栅极绝缘膜或保护膜的高质量的致密的绝缘膜的技术，应用该技术可以实现性能好、可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置在作为沟道长度为0.35～2.5μm的场效应晶体管的栅极绝缘膜中，在结晶半导体膜上经氧化硅膜形成氮化硅膜，该氮化硅膜的含氢浓度在1×1021/cm3以下、含氧浓度为5×1018～5×1021/cm3、且具有对包含7．13％的氟化氢氨(NH4HF2)和15.4％的氟化氨(NH4F)的混合水溶液的腐蚀速度在10nm/min以下的特性。
高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法
本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。
氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。
低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
一种形成氮化硅膜的方法包括用具有有机硅氮烷键的有机Si化合物作为气体源的CVD工艺。该CVD工艺是在有机Si源中的有机硅氮烷键保持在氮化硅膜中的条件下进行的。
多晶硅膜的制造方法
本发明提供了一种多晶硅膜的制造方法，包括步骤：通过光照设置在衬底上的硅膜形成多晶硅膜，和选择衬底样品，所述衬底样品具有500nm或更大的面内平均粒径。根据本发明，能够稳定制造高性能的多晶硅TFT液晶显示器。
生产具有含有有机着色剂的二氧化硅膜的积层材料的方法和由此生产的积层材料
本发明涉及在基体上形成含有有机着色剂的二氧化硅膜的方法，它包括将（１）用二氧化硅过饱和氟硅酸溶液，（２）将有机着色剂加入上述溶液中和（３）在基体上形成含有有机着色剂的二氧化硅膜。该方法没有生产含有有机着色剂的二氧化硅膜的任何常规方法所固有的那些缺陷。本发明还涉及用上述方法生产的具有含有有机着色剂的二氧化硅膜的积层材料。
一种硅膜压阻压力传感器及其制造方法
本发明提供了一种正面加工硅膜压阻压力传感器及其制造方法，该传感器的特点是硅膜下的空腔是从衬底硅体内镂空形成的空腔腔体，它的形成步骤ａ、在衬底硅膜设计区的下方及两侧进行重掺杂，形成连通的低阻区；ｂ、采用阳极氧化技术，使低阻区的硅转变成多孔硅；ｃ、用腐蚀液腐蚀多孔硅；ｄ、用淀积物填平硅膜两侧腐蚀多孔硅后形成的腔体开口。采用这种方法使器件成本低、性能可靠、易于集成和大批量生产。
一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
本发明提供了一种平面嵌入式硅膜电容压力传感器及其制造方法。本发明的传感器的硅膜下面的空腔是从硅片的正面掏空硅体而形成的密封腔体，电容器的电极分别做在腔体内硅膜的下表面和腔体的底面上，电容器的上下电极和硅膜由绝缘介质所隔离和支撑。它是采用扩散或离子注入、外延、阳极氧化、腐蚀多孔硅、物理或化学气相淀积等技术制备的。其制备工艺与平面工艺兼容，易于集成与大批量生产，且成本低，器件性能好。
一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法
本发明涉及一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法，该传感器的特点是采用隔热作用的硅膜，硅膜悬在将硅片局部挖空而形成的空腔上，并由腔体壁所支撑，用作加热器的硅电阻器和热探测器的Ｓｉ／Ａｌ热偶堆分别制作在硅膜上。硅膜是采用扩散或离子注入、硅外延、阳极氧化、腐蚀多孔硅、物理或化学气相淀积绝缘介质等技术制备的。本方法制作的器件，灵敏度高，响应速度快且有利于集成、降低成本和大批量生产。
硅膜改性弹性玻璃毛细管柱的制备
本发明属于硅膜改性弹性玻璃毛细管柱的制备方法。本发明制备一种中等极性ＯＶ－１７固定相硅膜改性弹性玻璃毛细管柱，该柱具有柱效高、惰性好、热稳定性好的色谱性能，用于极性、非极性、中等极性，酸碱化合物均能达到快速分析的目的。满足了环保饮用水质挥发性有机有害物及丙烯酰胺水溶液中丙烯酸的气相色谱分析。
结晶硅膜、半导体器件及其制造方法
本发明的结晶硅膜系于在基板上形成一受导入有供助长结晶化之触媒元素的非晶硅膜之后，使其在一因热处理而会产生结晶核之时期的一部分或整个时期当中，产生结晶核，然后，在于防止产生结晶核之状态下，进行结晶生长。结果，可以获得一结晶粒之尺寸具有均一性的良质硅膜。
从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
一种用于从盖住硅基片的下部氧化硅膜蚀刻氮化硅膜的方法，包括提供具有频率为１３．５６ＭＨz到６０ＭＨz的第一ＲＦ功率源及为０．８ＭＨz到１３．５６ＭＨz的第二ＲＦ功率源的步骤，基片顶面及与基片顶面相对的顶部电极底面的功率密度分别为从０．２０Ｗ／cm２到０．３５Ｗ／cm２及大于１．１３Ｗ／cm２。在氯气环境下蚀刻，以形成由氧化硅构成的元件隔离区及由氮化硅膜构成的侧壁膜。
形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法
通过等离子体ＣＶＤ形成微晶硅膜的方法包括：把高频电磁波通过电极引入到膜形成空间以感应等离子体，由此在衬底上形成淀积膜，其中当Ｑ定义为Ｑ＝Ｐ·f2/d时，满足４００<Ｑ<１００００关系式，其中的d（cm）是衬底和电极之间的距离，Ｐ（Ｔorr）是淀积膜形成过程中的压力，f（ＭＨz）是高频电磁波的频率。这可以以高速率提供形成适用于pin型太阳能电池的i型层的微晶硅膜的方法，而且只使用了低温工艺，而没有使用高温工艺。
制备薄硅膜的方法
本发明涉及制备单晶硅薄膜（５）的方法。该方法包括形成单晶衬底（１）；在衬底（１）中、衬底（１）上或衬底（１）附近形成与衬底有相同晶体取向的单晶硅薄膜（５）；提供多条穿过薄膜（５）或衬底（１）的相互间隔的蚀刻剂通道区（６）。通过蚀刻剂通道区（６）的同时蚀刻完成薄膜（５）的剥离。所需蚀刻的程度及进行剥离所需的蚀刻剂以不引起单晶膜（５）的显著退化为度。
氧化硅膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、显示装置和红外光照射装置
一种氧化硅膜的制造方法，其特征在于，包括利用气相淀积法形成氧化硅膜的工序以及对该氧化硅膜照射红外光的工序。因此，按照本发明，可将在较低的温度下形成的质量较低的氧化硅膜改善为质量高的氧化硅膜。在将本发明应用于薄膜半导体装置的情况下，可制造工作可靠性高的高性能半导体装置。
高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法
一种高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法，是将原料Si(OR)4、R xSi(OR)4－x、无水乙醇、水和催化剂，按摩尔比Si(OR)4∶R xSi(OR)4－x∶无水乙醇∶水∶催化剂，＝1∶0.1－5∶10－100∶1－10∶0.001－0.2在常温下搅拌均匀制成镀膜液，在温度为0－70℃下老化10－120天，采用常规的旋转镀膜法，提拉法和弯月面法进行单面或双面镀膜。本发明具有设备简单，制备条件温和，易操作，基底上镀本发明的膜层以后，透光率增加，疏水性能好，同时提高膜层的抗激光损伤阈值的优点。
多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
本发明提供一种廉价的表面处理溶液，能够选择性地降低在玻璃等绝缘衬底上通过激光退火法形成的多晶硅膜表面的平均粗糙度(Ra)。该多晶硅膜的表面处理溶液，实质上由0.01－0.5质量％的氢氟酸或者0.5－5质量％的氟化铵、50.0－80.0质量％的硝酸和水组成。
由含表面活性剂的溶液制备的中孔二氧化硅膜及其制备方法
本发明是一种具有低介电常数的中孔二氧化硅膜及其制备方法，该方法具有以下步骤：将表面活性剂结合在二氧化硅前体溶液中，由该溶液混合物旋涂膜，形成部分羟基化中孔膜，将羟基化膜脱羟基得到中孔膜。如本发明所述，在旋涂膜中使用小分子聚氧乙烯醚表面活性剂的优点是能形成平均直径小于约20nm的细孔。得到的中孔膜的介电常数小于3，这种介电常数在有一定比湿度的湿气中很稳定。本发明提供一种有利控制涂覆晶片上的膜厚和厚度均匀性的方法及有低介电常数的膜的制备方法。本发明是一种将羟基化的二氧化硅表面脱羟基的方法，其步骤是：将该二氧化硅表面分别暴露在硅有机化合物和脱羟基气体中。暴露在硅有机化合物中可以是在液相、气相或溶液相中，暴露在脱羟基气体中一般是在升温时进行。在一个实施方案中，对脱羟基过程的改进之处是重复进行浸泡和暴露在脱羟基气体中。在另一个实施方案中，改进之处是使用基本不含氢气的惰性气体。在另一个实施方案中，本发明是两步脱羟基法和表面活性剂样板法结合制备中孔膜的方法。
除去氮化硅膜的方法
为了选择性地除去半导体装置中接触孔等底部上形成的氮化硅膜，用供应的生产气体进行等离子刻蚀，所述生产气体由具有碳碳键的第一氟化合物(例如，八氟环丁烷(C4F8)、六氟丁二烯(C4F6)、八氟环戊烯(C5F8)等)和在一个分子中包括至少一个氢原子和一个单独碳原子的第二氟化合物(例如，一氟甲烷(CH3F)、二氟甲烷(CH2F2)、三氟甲烷(CHF3)等)组成。根据该方法，可以将底部的氮化硅膜选择性地除去，而不会除去在接触孔等的侧壁上形成的氮化硅膜。
氧化硅膜的制造方法、其控制程序、存储介质和等离子体处理装置
本发明公开了一种氧化硅膜的形成方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有1％以上的氧的处理气体，在133.3Pa以下的处理压力下形成等离子体，由所述等离子体，使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表面氧化，形成氧化硅膜。
用于高性能CMOS应用的超薄Hf掺杂氮氧化硅膜及制造方法
一种半导体结构及其形成方法，包括在基础栅电介质层(53)上形成均匀的扩散控制稳定材料的缓冲层，然后形成包括过渡金属原子源的均匀层，之后退火所述结构以将过渡金属原子从它们的源扩散经过扩散控制材料并进入基础栅电介质层(53)。
使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置
本发明提供一种使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置。所述方法包含：在所述透明基板的表面上形成光吸收层；并使用快速热处理(RTP)光源的辐射加热所述光吸收层，同时沉积所述多晶硅膜于该光吸收层上。
增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态下形成。一氮化硅膜层可包含一初始层，其于无氢气流的存在下而形成，作为于一氢气流存在下所形成的一高应力氮化物层的底层。根据本发明的一实施例所形成的氮化硅膜层，其可具一2.8GPa或更高的压缩应力。
采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法
采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，它涉及碳化硅反射镜表面的涂膜方法。它解决了现有反射镜的两相具有相差悬殊的硬度值，使抛光的均匀性受到影响，加工难度高；反射镜的粗糙度较高、表面易损伤的问题。本发明的方法为：一、将碳化硅反射镜进行清洗；二、将碳化硅反射镜置于磁控溅射真空仓内的加热台上；三、将真空仓内抽真空，对碳化硅反射镜加热；四、通入Ar气，启动电离电源，对碳化硅反射镜表面进行电离清洗；五、向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜。本发明方法制备的硅膜致密性好，覆盖了碳化硅表面的两相组织，易于抛光，光学精度高，硅膜与反射镜表面的结合性好。
二氧化硅膜形态的控制
一种控制二氧化硅或二氧化硅类膜形态的方法，所述膜通过将可水解的硅酸盐低聚物的前体制剂涂布到基底上并在包含有碱、水和迟延所述低聚物水解的迟延剂的汽态环境下固化而形成。
通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。
活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理；再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中，系统抽真空至5×10-3Pa，以硅烷和氨气为反应气源，在硅烷流量15～45sccm、硅烷和氨气流量比1/2～1/4、沉积温度300～500℃、射频功率90～150W的条件下，沉积10～30min停止，在活塞环的上表面和侧面得到氮化硅膜层；自然冷却后取出。所得氮化硅膜层活塞环的表面硬度可达900-1400HV，明显高于普通镀铬产品800HV的硬度。膜层良好的耐蚀耐磨性能和自润滑特性，可有效提高活塞环的使用性能，改善工作稳定性，延长寿命。该方法克服了传统镀铬活塞环能耗大、污染严重、工艺复杂等弊端。
在硅膜中心部位设置四端单元件的力敏器件
在硅膜中心部位设置四端单元件力敏器件是利用某些特定形状的硅膜中心部分的应力变化缓慢的特点进行设计的．此设计可减少器件对工艺中定位偏差的敏感性,特别是提高了在小型化硅膜上制作器件的现实性．
矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器
本实用新型属半导体压力传感器领域。其芯片结构特征为，在硅膜背面有由各向异性腐蚀形成的两个对称矩形硅岛，硅岛端面与器件衬底之间有一层间隙，硅膜正面相应于双岛之间的沟槽部位和岛与边框之间的沟槽部位设置力敏电阻，该组电阻联结成惠斯顿电桥。这种结构的压力传感器特点为灵敏度高，线性度好，并有过压保护功能，可广泛用于各种工业和医用测压系统，尤其是低压测量系统。
多晶硅膜微压传感器
多晶硅膜微压传感器可用于低压和低真空系统中测量压力和真空度，采用高阻硅衬底和桥式结构多晶硅膜构成，其真空参考腔由两者在亚真空系统中沉积SiO2层实现真空封接，真空参考腔电容极板分别由衬底的重掺杂层和多晶硅重掺杂构成，其间距采用沉积SiO2层的度决定，控制精度高，具有结构简单、工艺方便、体积小和成本低等优点，不需要进行双面光刻对准和玻璃与硅的键合，便于大规模生产。
中频反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备
一种中频反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备，包括真空镀膜室、双靶、反应气体供气管道、工作气体供气管道、中频电源、压电阀控制器和压电阀，双靶装在屏蔽罩内，真空镀膜室内的反应气体供气管道位于双靶的对称中心线上，中频电源的两个输出端各接到一个靶上，中频电源的控制线接压电阀控制器，压电阀控制器的输出控制反应气体供气管道上的压电阀，由双靶、中频电源、压电阀控制器、压电阀和反应气体供气管道构成闭环控制回路。本实用新型提供了一种能使靶面处于过度状态，既能保证膜层的成分，又具有足够高的沉积速率，实现闭环控制的中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备。
硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法
本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。
氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
本发明提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本发明也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引入沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。
硅膜传感器芯片的封装
本发明涉及一种硅膜传感器芯片的封装，其中，外壳至少有部分弹性外壳，弹性外壳与硅膜间隔，弹性外壳与其它硬质外壳构成一个密闭外壳，密闭外壳内有气体，气体与硅膜接触；弹性外壳最好是外凸的弹性物体；通过本发明的上述实施，使上述硅膜传感器构成：力传感器，倾角传感器，角速度传感器，角加速度传感器，速度，加速度传感器，位移传感器，振动传感器，及其电子开关。
用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
(问题)提供使用CVD技术生产氮化硅和氧氮化硅膜的方法，其中所述方法甚至在低温下也能提供可接受的膜形成速度并且不会伴随着大量氯化铵的形成。(解决方案)使用式(R0)3-Si-Si-(R0)3的烃基氨基乙硅烷化合物(I){每个R0独立地选自氢原子、氯原子和-NR1(R2)基团(其中R1和R2分别独立地选自氢原子和C1到C4烃基，前提是R1和R2不都是氢原子)并且至少一个R0是-NR1(R2)基团}作为氮化硅和氧氮化硅的前体。
非晶质硅膜的结晶方法
一种在玻璃基板或塑料基板等非晶质基板上形成单晶Si膜的方法。其是在液晶显示装置制造时把在非晶质基板上形成的非晶质硅膜通过热源的照射而结晶的非晶质硅膜的结晶方法。其对像素部的TFT形成区域和外部电路部的TFT形成区域的非晶质硅膜部分选择地进行热源的第一次和第二次照射制成多晶体后，对所述多晶内的晶粒中的任何一个进行热源的第三次照射以所需的位置和大小制成单晶区域。本发明因为不必使非晶质硅膜的全部区域结晶，而仅将必要的部分通过单晶硅膜结晶，所以在提高像素部和外部电路部用的TFT特性的同时可确保均匀度。
掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
本发明提供一种掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法，包括下列步骤：首先，提供一基底并将其置于一CVD腔室中，接着，通入氧气、氩气与三甲基硅烷至该腔室，其流量比大体为1∶1.5∶6，且腔室温度大体介于300-400℃，形成此低介电常数介电层的沉积速率比过程中不通入氩气要快，且在氧气等离子体存在下介电常数大体为3的介电层其介电常数值仅会有些许增加。此外，可形成具有较高密度、硬度与张力强度的黑钻石层，并可使膜厚均一度在长时间内维持在2％以下，以降低清除微粒的操作次数并提供较低的氟碳等离子体蚀刻速率，改善镶嵌工艺中沟槽深度的控制能力，使形成的内连线具有较低漏电流与较高崩溃电压的特性。
多晶硅膜的形成方法
本发明提供一种多晶硅(poly-Si)膜的形成方法，本发明的多晶硅膜形成方法是一种通过激光照射使非晶硅(a-Si)膜结晶化以形成多晶硅膜的方法，其包括以下步骤：在玻璃基板上依次蒸镀隔离膜及非晶硅膜；在上述玻璃基板的后面蒸镀具有激光反射功能的金属膜；从上述非晶硅膜的前面照射激光，同时使由上述金属膜反射的激光被该非晶硅膜再吸收，由此使该非晶硅膜二次结晶。本发明的特征在于使非晶硅膜二次结晶，故能形成具有非常大的晶粒的多晶硅膜。
多晶硅膜的形成方法
本发明提供通过非晶硅膜的结晶化形成多晶硅膜的方法，本发明多晶硅膜形成方法的特征是在隔离膜的存在下利用设定的掩膜，通过对蒸镀在玻璃基板上的非晶硅膜照射激光使其结晶化形成多晶硅膜的方法中，设计前述掩膜使之具有如下的掩膜图形：该掩膜被分成同样地具有一定长度的第1照射区域、第2照射区域和第3照射区域，该第1照射区域及第2照射区域具有下述形象：交替地配置透过部与非透过部，相互之间透过部与非透过部的位置彼此相反，而且各区域的透过部的端部有一定部分的重叠；该第3照射区域具有下述形象：交替地配置透过部与非透过部，但该透过部配置在与第1照射区域及第2照射区域的透过部的中央相对应的位置。利用具有前述掩膜图形的掩膜，使前述玻璃基板按一定的距离单位平行移动，同时进行n次激光照射，使a-Si膜全部结晶化。
多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
本发明提供多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)的多晶硅膜的形成方法。本发明多晶硅膜的形成方法是在利用掩膜通过激光照射使蒸镀在玻璃基板上的非晶硅膜结晶形成多晶硅膜的多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法，其特征在于，在上述方法中，所述非晶硅膜的结晶化采用使玻璃基板以一定的距离单位平行移动，同时利用具有设定形象的掩膜图形照射激光使晶粒呈圆形地成长的方式进行。
生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂
通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。
一种多孔氧化硅膜的制备方法
本发明的目的是提供具有一定机械强度的多孔氧化硅膜的制备方法。使用表面活性剂，一种或多种具有由Du Nouy法表示的0.1wt％浓度和在25℃下45mN/m或更高的表面张力的非离子表面活性剂作为表面活性剂，通过混合此非离子表面活性剂、可水解的烷氧基硅烷化合物、水和醇而得到一种混合溶液，将该混合溶液涂布于基材上，然后将混合溶液中的表面活性剂分解或烧尽而形成多孔氧化硅膜。在此基础上，该表面活性剂适合于由化学式1表示。可选择地，可使用这样一种溶液，其中将二甲基二烷氧基硅烷化合物进一步加入该混合溶液中。OH(CH2CH2O)x(CH(CH3)CH2O)y(CH2CH2O)xH化学式1，x和y分别表示整数，且1≤x≤185，5≤y≤70。
边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法
控制将硅粒引入边缘限定硅膜生长工艺(EFG)坩埚/模具单元(20A)内以在晶体生长过程中补充熔体的改进的机械装置。由供料装置(124)通过坩埚/模具单元(20A)的中心套筒(114)向上注入硅粒，由机械装置阻截注入的硅粒并将其导引，使之落入坩埚的选定区域内的熔体中而其注入速度能减少溅射，从而能减小由于在中心套筒(114)与相邻部件上形成硅固体团而中止生长过程的可能性。本发明还包括应用法拉第环(300)来改变流过加热坩埚模具单元(20A)与机械装置的初级和次级感应加热线圈的电流之比。
纳米硅膜生物传感器
本发明提供了一种纳米硅膜生物传感器，该传感器由绝缘性基底、设置在基底上的至少包括测定电极和对应电极的电极系、与绝缘性基底及电极系相结合的纳米硅制薄膜、以及包裹在电极系上的保护膜组成；其中纳米硅制薄膜上依次覆盖有化学修饰层和生物分子层，电极间留有试样液供给通路口；电极系以对应嵌合的梳状排列，并通过引脚与电化学工作站的对应导线连接。该生物传感器的原理是通过测量加入待测试样液前后纳米硅膜两端各种电参数的变化，来定量测定试样液中各种生物大分子的浓度。该生物传感器具有免标记、灵敏度高、快速测定等优点，在生物学、医学研究和临床领域具有极大的应用前景。
利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法
本发明主要是在硅烷形成多晶硅的时候加入氢气，使得形成的多晶硅为微晶格。将这种微晶格的多晶硅应用在快闪存储器中的浮置闸，可以改善快闪存储器的元件特性。
单晶硅膜的制造方法
本发明提供一种制造单晶薄膜的结晶方法。该方法用激光照射(irradiation)并在有被激光照射的半导体薄膜的基板上由非晶或多晶薄膜在希望的位置以希望的尺寸进行。本发明的单晶硅膜制造方法包括：在透明或半透明基板上形成半导体层或金属薄膜的阶段；作为通过激光照射的结晶方法在规定尺寸的基板上形成单晶籽晶区域的阶段；把所述单晶区域作为籽晶(seed)在希望的区域进行单结晶的阶段。
以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
本发明提供一种以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其使用的光罩图案，其中，光罩图案包括：一结晶图案部，用以定义一投射至非晶硅膜的激光束的能量，以使非晶硅膜形成一多晶硅膜；及一再结晶补偿部，与结晶图案部相邻，用以定义投射至多晶硅膜的激光束能量，以改善被激光束照射的多晶硅膜的结晶，激光束的能量会被衰减或不衰减。
硅烷聚合物及硅膜的形成方法
本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。
借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
本发明有关一种PECVD沉积a-SiNx:H膜的方法，当一系列的TFT元件在一表面积大于约1平方米(其可以是约4.1平方米，甚至是大到9平方米)的基材上被排成阵列时，该膜在该TFT元件上是很有用的，其可作为栅极介电层及钝态层。该等a-SiNx:H膜提供均一的膜厚度及膜性质(包括化学组成在内的性质)，这在这些大表面积基材上是必需的。由此方法所制造的膜对于液晶主动矩阵显示器及有机发光二极管控制两者而言是很有用的。
氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置
一种成膜方法，在能够选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体的处理区域之内，利用CVD在具有金属表面的被处理基板之上形成氧化硅膜。该成膜方法交互具有第一至第四工艺。在第一工艺中，向处理区域供给含硅气体，而停止向处理区域供给氧化性气体以及还原性气体。在第二工艺中，停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体。在第三工艺中，同时向处理区域供给氧化性气体以及还原性气体，而停止向处理区域供给含硅气体。在第四工艺中，停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体。
形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
本发明提供一种形成氮化硅膜的方法。根据本发明，通过对含硅/氮源气体或者含硅源气体和含氮源气体进行热分解来在低沉积温度(例如小于550℃)下沉积氮化硅膜，以形成氮化硅膜。然后利用氢自由基对热沉积的氮化硅膜进行处理以形成处理后的氮化硅膜。
生产氢化碳氧化硅膜的方法
生产具有低介电常数的氢化碳氧化硅(H:SiOC)膜的方法。该方法包括使用等离子体辅助的聚合，使含有至少一个应变硅键的环状硅烷化合物反应以产生膜。所得膜可用于形成半导体器件。
氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
本发明提供一种在晶片上沉积氮化硅膜的制造方法。首先提供一化学气相沉积系统，其包括管状炉管、连接至该炉管的基座部位的至少BTBAS供应管线、连接至炉管上端的出口管线、衔接BTBAS供应管线与出口管线的旁通管线，以及衔接出口管线的真空泵，其中旁通管线呈切断关闭状态；将一批次的晶片放置于炉管内的内管体中；在内管体中通入含氮气体；经由BTBAS供应管线于该内管体中通入前驱物BTBAS气体，且真空泵维持内管体中的压力在0.1Torr至3Torr的低压范围；于内管体中进行氮化硅膜沉积反应，以于晶片表面上沉积氮化硅膜；当氮化硅膜沉积反应结束，随即将BTBAS供应管线切断关闭，并立即开启旁通管线；以及移出该批次的晶片。
氮化硅膜的制造方法
一种氮化硅膜的制造方法，此方法适用于基底，且于基底上至少形成有一晶体管元件，而此方法包括下列步骤。首先，于晶体管元件上形成自行对准金属硅化物膜。接着，于基底上形成氮化硅膜。之后，对氮化硅膜进行热处理工艺。其中，此热处理工艺的工艺温度低于摄氏450度，且此热处理工艺是在惰性气体环境中进行。因此，藉由本发明的氮化硅膜的制造方法，能够以低热预算工艺制造出高拉伸应力的氮化硅膜，从而能够在不影响金属硅化物的热稳定性的情况下，增进晶体管元件的通道内的电子移动率。
使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
本发明涉及可以在低温下形成高应力的氮化硅膜的、利用ALD法，形成氮化硅膜的方法。此方法包括：(a)将二氯硅烷供给到反应室内，使得以二氯硅烷为前体的化学种吸附在半导体晶片上的工序；(b)对所述化学种中所含的氯进行氢化，从所述化学种中去除的工序；(c)将氨自由基供给到所述反应室内，利用此氨自由基，对已去除氯的所述化学种进行氮化，将其结果得到的硅氮化物堆积在所述被处理体上的工序，通过按所述工序(a)、(b)、(c)的顺序多次反复进行，在半导体晶片上形成期望厚度的氮化硅膜。
一种介孔二氧化硅膜的制备方法
本发明是一种介孔二氧化硅膜的制备方法，该方法以NH4OH为催化剂，采用两相水解法制备SiO2溶胶，将SiO2溶胶过滤后，加入硝酸溶液调节其pH值在2.8～3.2，控制溶胶浓度为0.45～0.3mol/L，加入成膜助剂CMC 0.100～0.14mol/L，搅拌均匀后用之涂膜，自然干燥后，焙烧即获得介孔SiO2膜。本发明的方法提出的成膜体系，使溶胶-凝胶-干燥过程具有自适应性，能够自动调节凝胶和干燥速度，从而使凝胶干燥过程中存在的收缩在很大程度上得到减少，具有智能调节性，不需要严格控制干燥环境，并且得到完整均匀的孔径在2-50nm的介孔SiO2膜。
一种氮化硅膜的生长方法
本发明公开了一种氮化硅膜的生长方法，在高密度等离子体腔体通硅烷和一氧化二氮，或者在高密度等离子体腔体中通硅烷和氨气，在高密度等离子体腔体中形成氮化硅膜。本发明的氮化硅膜的生长方法在淀积的同时刻蚀，刻蚀时能打掉淀积尖端，增加小区域的填充能力。
氮化硅膜形成方法及装置
本发明提供一种氮化硅膜的形成方法，首先在反应容器的处理区域内通过CVD在被处理基板上堆积氮化硅膜。这里，在第一时间内，向处理区域内供给含有硅烷类气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体，同时，将处理区域设定为第一温度及第一压力。然后，在处理区域内氮化氮化硅膜的表面。这里，在比第一时间短的第二时间内，向处理区域内不供给所述第一处理气体，而是供给含有氮化气体的表面处理气体，同时，将处理区域设定为第二温度及第二压力。
二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的CHx，Si-O-Si键，Si-CH3键和Si-CHx-键，其中x代表0-2的整数。
氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序
本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成氮氧化硅膜。该成膜方法具有相互交替的第一至第六工序。在第一、第三和第五工序中，分别供给第一、第二和第三处理气体，停止其他两种处理气体的供给。在第二、第四和第六工序中，停止第一、第二和第三处理气体的供给。所述第三和第五工序具有激励期间，所述第二和第三处理气体在由激励机构所激励的状态下被供给至所述处理区域。
薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
一种薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法，此薄膜晶体管的制造方法是先在基板上形成多晶硅层，且此多晶硅层具有第一待掺杂区、第二待掺杂区以及通道区。其中，通道区是位于第一待掺杂区与第二待掺杂区之间。然后，进行掺氮工艺，以将氮掺入该多晶硅层。继之，在多晶硅层上依序形成栅绝缘层与栅极，其中栅绝缘层与栅极均位于通道区上方。接着，进行掺杂工艺，以使第一待掺杂区与第二待掺杂区分别成为源极区与漏极区。掺有氮的多晶硅层内会产生Si-N键，其可修补多晶硅层内的缺陷，进而降低载流子在通道区内被攫取的机率。
应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
我们已经发现，可以通过操作某些膜沉积参数来调节单层氮化硅膜的应力。这些参数包括：工作在不同频率范围内的多个(一般是两个)功率输入源；沉积温度；处理室压强；和沉积源气体的组分。具体而言，我们已经发现，可以通过PECVD在单个沉积步骤中沉积膜来产生应力被调节在约-1.4GPa(压应力)到约+1.5GPa(张应力)范围内的单层薄(厚度为300埃到1000埃)氮化硅膜，沉积条件如下：衬底温度在约375℃到约525℃的范围内，处理室压强范围从约2Torr到约15Torr。
硅膜形成装置
本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。
用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
本发明提供了用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法包括：提供衬底，所述多层氮化硅膜将被形成在所述衬底上；以及在一个处理反应器中通过如下操作形成所述多层氮化硅膜：(a)在基底结构上沉积包括氮化硅的底部层；(b)在所述底部层上沉积包括应力控制材料的中间层；和(c)在所述中间层上沉积包括氮化硅的顶部层。与单独的氮化硅相比，所述应力控制材料选择性地增大或者减小多层氮化硅膜的应力。
具有控制应力的氮化硅膜
本发明公开了一种包含一多层氮化物层叠的组件(assembly)，该多层氮化物层叠具有多层氮化物蚀刻终止层，且每一氮化物蚀刻终止层彼此层叠，并通过一薄膜形成工艺来形成每一层氮化物蚀刻终止层。一种制造该多层氮化物层叠的方法包括将一衬底置于一单一晶片沉积室中，以及在沉积的前一刻，先对该衬底作热冲击处理(thermal shock)。一第一氮化物蚀刻终止层沉积于该衬底上。一第二氮化物蚀刻终止层沉积于该第一氮化物蚀刻终止层上。
用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
在一实施例中，提供一种用以沉积一内含氮化硅的膜层在一基板表面的方法，其包括将该基板放置在一处理室中，加热该基板至一预定温度，将该基板表面暴露在一烷氨硅烷化合物及至少一种不含氨的反应物下，及沉积一氮化硅材料至该基板表面上。在另一实施例中，提供一种用以在一处理室中沉积一氮化硅层于一基板表面上的方法，其包括加热该基板至一介于约400℃至约650℃间的温度，将该基板暴露在一烷氨硅烷化合物及一种诸如氢气、甲硅烷、甲硼烷、甲锗烷、烷类、碳氢化物、胺类、联氨类、其衍生物或其组合的反应物下。
制备氮化硅膜的方法
(问题)提供一种通过气相沉积制备氮化硅膜的方法，当使用三甲硅烷基胺作为前体时，该方法可得到具有优良膜性能的氮化硅膜，以及可在较低温度下以较高生长速率得到。(解决方案)制备氮化硅膜的方法，所述方法特征在于向包含至少一个基体的反应室中供入气态三甲硅烷基胺和包含选自式(1)NR1R2R3胺类化合物(R1、R2和R3各自独立地选自氢和C1-6烃基)的至少两种胺类化合物的气态氮源以及通过将所述三甲硅烷基胺和所述氮源反应而在所述至少一个基体上形成氮化硅膜。
氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(100)中，使得腔室内压力为67～667Pa、温度为300～600℃以下、微波功率为1000～3500W、作为处理气体而使用100～2000mL/min的Ar气体、1～500mL/min的O2气体、并且将处理气体中的O2气体相对Ar气体的比例控制为0.5～5％，同时进行多晶硅的氧化。
多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
一种多晶硅膜的制造方法，其步骤至少包括：提供基板，其中于基板上至少形成有金属层，接着于基板上直接沉积多晶硅膜，然后对多晶硅膜进行热板退火工艺。通过本发明之多晶硅膜的制造方法，能够以较低的制造成本、较高的产率制造出高效能的多晶硅薄膜晶体管。
一种介孔二氧化硅膜及一种抗生素制药废水净化处理方法
本发明涉及一种介孔二氧化硅膜及一种抗生素制药废水净化处理方法。本发明的介孔二氧化硅无机膜，孔径小，孔径分布较窄，制备过程无需严格的干燥条件就可以制得完整的无机膜。本发明提供的抗生素制药废水净化处理方法，可对高浓度的抗生素制药废水进行处理，效果良好并具有广泛的适用性，省去了其他废水处理方法繁琐的预处理过程，工艺过程简便、高效。
以六氯乙硅烷进行的含硅膜的沉积
本发明提供了一种用于在处理系统中利用低压沉积工艺在衬底上沉积含硅膜的方法。含硅膜可以通过在处理系统的处理室中提供衬底，加热衬底，并将衬底暴露于六氯乙硅烷(HCD)处理气体来在衬底上形成。该方法可以在衬底的硅表面上选择性地沉积外延含硅膜，或者在衬底上非选择性地沉积含硅膜。本发明还提供了一种包括处理系统的处理工具，处理系统用于利用HCD处理气体在衬底上形成含硅膜。
环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途
本发明目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有适用于PECVD装置的环状硅氧烷化合物的低介电常数绝缘膜用材料，并提供使用该材料的含硅膜及含这些膜的半导体器件。本发明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有选自氧原子、硼原子及氮原子中至少一种的基团，n表示1或2、x表示2～10的整数)所示环状硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。
用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法
根据本发明的一个方面，提供一种用于提供具有受控的微结构和结晶纹理的多晶膜的方法。该方法提供具有特定结晶方向的伸长的晶粒或单晶岛。具体地，对衬底上的膜进行加工的方法包括：提供具有主要在一个方向上的结晶方向的晶粒的纹理结构膜；然后使用用于提供在上述结晶方向上取向的所述晶粒的位置受控生长的顺序横向固化来产生微结构。
去除硅片背面氮化硅膜的方法
本发明公开了一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，包括以下步骤：第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中；第二步，将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中；第三步，将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面；第四步，用去离子水对硅片进行水洗；第五步，在背面旋转刻蚀装置中通入N2，对硅片进行干燥。本发明通过将硅片放置于背面旋转刻蚀装置中，在浓氢氟酸进行处理，可以在硅片正面不允许淀积额外的氧化膜保护层的情况下方便的去除硅片背面的Si3N4薄膜。
改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多孔质二氧化硅膜、及含有该改性多孔质二氧化硅膜的半导体装置
本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。
含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积
本发明公开了由含有Si-H3的烷氨基硅烷，优选式(R1R2N)SiH3(其中R1和R2独立地选自C2-C10)以及氮源或氧源(优选氨或氧)进行等离子体增强周期化学气相沉积氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅、羧基氮化硅和掺碳的氧化硅的方法，使得膜与由热化学气相沉积获得的膜相比具有改进的特性，例如蚀刻速率、氢浓度和应力。
用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
本发明公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的、包含碳的氧化硅膜或者包含碳的氮化硅膜的方法。该方法包括采用包含硅的前体、包含碳的前体和化学改性剂。本发明也公开了沉积具有提高的耐蚀刻性的氧化硅膜或者氮化硅膜的方法，包括采用有机硅烷前体和化学改性剂。
用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法
本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。
氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
本发明涉及氮化硅膜、半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于应用一种在玻璃衬底上、在应变点之下的温度下形成可用作为栅极绝缘膜或保护膜的高质量的致密的绝缘膜的技术，应用该技术可以实现性能好、可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置在作为沟道长度为0.35～2.5μm的场效应晶体管的栅极绝缘膜中，在结晶半导体膜上经氧化硅膜形成氮化硅膜，该氮化硅膜的含氢浓度在1×1021/cm3以下、含氧浓度为5×1018～5×1021/cm3、且具有对包含7.13％的氟化氢氨(NH4HF2)和15.4％的氟化氨(NH4F)的混合水溶液的腐蚀速度在10nm/min以下的特性。
多晶硅膜阻值的测试方法
本发明提供一种多晶硅膜阻值的测试方法，其中，该方法包括如下步骤a.首先将控片放入炉管中进行反应以在控片上生长一层多晶硅膜；b.对该控片执行如下子步骤：b1.对该控片执行离子注入制程；b2.执行激活离子的制程；b3.最后测量阻值，如果阻值符合生产规格要求，再将晶圆送入炉管生长多晶硅膜。与现有技术相比，本发明通过在控片上执行离子注入和快速热制程以获得电特性，可以及时获知该炉管的反应条件生产的多晶硅膜的阻值是否符合生产规格要求，将生产的损失减少到最低，并有效提高了生产效率。
硅膜的干刻蚀方法
一种硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，其包括以下工序：准备在基板上层叠有硅膜的被加工物；将被加工物搬入到高频电极及对置电极被平行配置的平行平板型的干刻蚀装置内，将所述被加工物的基板载置在所述高频电极或对置电极中的任何一方上；将所述干刻蚀装置减压，向所述干刻蚀装置内导入氟气及氯气；对所述高频电极施加高频，从而刻蚀所述硅膜。
氮化硅膜的干刻蚀方法
一种氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，包括以下工序：准备在基板上层叠有氮化硅膜的被加工物；将被加工物搬入到高频电极及对置电极被平行配置的平行平板型的干刻蚀装置内，将所述被加工物的基板载置在所述高频电极上；将所述干刻蚀装置减压，向所述干刻蚀装置内导入氟气及氧气；对所述高频电极施加高频，从而刻蚀所述氮化硅膜。
氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm-1附近出现的SiO2-特征峰的积分强度，在波数2,340cm-1附近出现的CO2-特征峰的积分强度是8E-4倍以上。
用流动梯度设计沉积均匀硅膜的方法和装置
本发明提供一种由气体分布板产生流动梯度的方法和装置。在一个实施例中，该方法和装置特别用于，但不限于，沉积太阳能电池用硅膜。沉积太阳能电池用均匀硅膜的装置包括处理室，和设置在处理室中并具有至少四个由四个边分隔的角的四边形的气体分布板。该气体分布板还包括穿过气体分布板形成的第一多个节流口，该第一多个节流口位于角中，和穿过气体分布板形成的第二多个气体节流口，该第二多个节流口沿角区域之间的边设置，其中第一多个节流口具有比第二多个节流口更大的流动阻力。
等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
本发明涉及等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法，具体涉及在等离子环境中按照循环膜沉积使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作为前体形成氮化金属硅膜的方法。在衬底上形成氮化金属硅膜的沉积方法包含以下步骤：脉冲加入金属氨基化物前体；吹扫出未反应的金属氨基化物；将氮源气体引入在等离子环境下的反应室；吹扫出未反应的氮源气体；脉冲加入硅前体；吹扫出未反应的硅前体；将氮源气体引入到在等离子环境下的反应室中；和吹扫出未反应的氮源气体。
利用硅膜柱吸附RNA的RNA提取方法
本发明涉及的是一种简单有效快速的利用硅膜柱吸附RNA的RNA提取方法，步骤为：收集细胞，加入变性液和氯仿，混匀，离心，菌液在管中分为三层；吸取上层液体转移至硅膜柱中，离心；加入乙醇至硅膜柱中，离心；重复上一步；再离心，保证硅膜柱内无液体；加入双蒸水、洗脱液至硅膜柱内；离心，用一干净离心管收集洗脱液，所述变性液包括裂解剂、RNA抽提剂、水，裂解剂为异硫氰酸胍、十二烷基肌氨酸钠或苯酚中一种，RNA抽提剂为柠檬酸钠、醋酸钠、乳酸钠、抗坏血酸、苹果酸钾、草酸钠或酒石酸钾中一种。本发明提取的时间在6min之内，没有DNA污染，提取过程易于自动化，提取出的RNA纯度很高。
用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
提供一种用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法。更具体来说，在一个实施例中，提供一种方法，其包括：将氮气引入处理腔室中，其中所述处理腔室包含包括硅的目标；将所述处理腔室放入金属区与中毒区之间的过渡区中；以及向所述目标施加电压。
多晶硅膜的形成方法
本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。
微晶硅膜形成方法以及太阳电池
本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅的方法中，其特征在于在真空室内，将两端部分别与高频率电源和地面连接的多个天线排列在一个平面内，构成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非晶硅的480cm-1附近的拉曼散射强度Ia之比Ic/Ia为2～6的微晶硅膜。
通过来自乙硅烷前体的远程等离子体CVD的高质量氧化硅膜
本发明提供了一种在基板上沉积含硅和氮的膜的方法。该方法包括将含硅前体引入到包含基板的沉积室中，其中含硅前体包括至少两个硅原子。该方法还包括通过设置在沉积室外部的远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体。而且，该方法包括将自由基氮前体引入到沉积室中，其中自由基氮和含硅前体反应且在基板上沉积含硅和氮的膜。而且，该方法包括在蒸汽气氛中退火含硅和氮的膜以形成氧化硅膜，其中蒸汽气氛包括水和酸性蒸汽。
用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置
本发明公开了一种用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置，包括有中央套管的锥形导向器和支撑在锥形导向器顶面的上层结构，所述的上层结构包括与中央套管同轴设置的内套筒组，同轴设置在内套筒组外围的外套筒组和用于密封内套筒组及外套筒组顶部的顶板，内套筒组底沿带有若干个支脚，通过支脚支撑在锥形导向器的顶面，相邻支脚之间形成排料通道。本发明的装置主要是针对现有技术对上层结构进行改造，将起热屏作用的外套筒垂直放置，径向温度梯度较高，能形成有利于晶体生长的热场；内套筒和排料通道的设计可以起到减速和导向的作用，使得硅粒落入硅液中时能减少硅液溅起，解决了蘑菇状料团中断带状硅生长的问题。
氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法
本发明公开了一种氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法，包括如下步骤：第一步，使用单个磷酸槽对氮化硅膜进行完全刻蚀；第二步，使用高温水洗槽进行清洗；第三步，使用单个磷酸槽进行过刻蚀；第四步，使用高温水洗槽进行清洗。采用本发明方法既能解决设备处理产出效率低的问题，又可以解决氧化硅颗粒析出的问题。
等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法和半导体装置的制造方法
在使用等离子体处理装置，利用微波使导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜时，通过含氮气体的种类和处理压力的组合来控制形成的氮化硅膜的应力。上述等离子体处理装置利用具有多个隙缝的平面天线向处理室内导入微波，产生等离子体。
新颖沉积-等离子硬化循环处理以提高二氧化硅膜品质方法
描述以二氧化硅充填基板上间隙的方法。该方法包括下列步骤：将一有机硅前体与一氧前体导入一沉积腔，使前体开始反应以形成一第一个二氧化硅层于基板上的间隙内，然后蚀刻该第一个二氧化硅层好减少该层中的碳含量。该方法亦包括形成一第二个二氧化硅层于该第一层上，然后蚀刻该第二层好减少该第二层中的碳含量。间隙被填满后，退火处理该些二氧化硅层。
等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置
本发明提供等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置。使用等离子体处理装置，通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时，向载置台供给高频电力，其中，该等离子体处理装置设置有能够真空排气的处理室、在处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过上述缝隙将微波产生源产生的微波导入上述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向处理室内的气体供给机构、和向载置台供给高频电力的高频电源。
多晶硅膜层的制造方法
本发明提供一种多晶硅膜层的制造方法，其在一基板上形成一多晶硅膜主动层之后，接着对该多晶硅膜主动层的通道区施予气体等离子体处理，以调整后续形成的多晶硅膜晶体管的起始电压值，之后再形成一栅极绝缘层于该多晶硅膜主动层上。藉本发明前述多晶硅膜层的制造方法可省略信道区的离子注入步骤，进而可降低制造费用及缩短制程时间。
通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法
本发明涉及一种含五(二甲基氨基)氯二硅烷的化合物与含氮气体和任选地含氧气体一起使用以通过CVD淀积SiN(和任选SiON)膜的方法。
用以成形非晶硅膜的连续腔室
一种用以成形非晶硅膜的连续腔室，包含有：多数腔室，是线性排列且相连接而使内部空间相连通，每相邻的二该腔室之间设有一活动门，而可由该活动门的开启/关闭来使相邻的二该腔室相通/隔离；该多数腔室中，是定义位于头端的腔室为入料室，位于尾端的腔室为出料室，且位于该入料室与该出料室之间的腔室定义出至少一p层成形室、至少一i层成形室、以及至少一n层成形室；该入料室的入口以及该出料室的出口均具有一活动门。由此可达到连续成形且提高生产速度的功效。
非晶硅膜的批次成形系统
一种非晶硅膜的批次成形系统，包含有：至少一p层成形腔，具有可开启/关闭的一密封门；至少一i层成形腔，具有可开启/关闭的一密封门；至少一n层成形腔，具有可开启/关闭的一密封门；一共享真空腔，与该些成形腔相连；一运输装置，具有一承载面，该承载面可分别运动至各该密封门前方；以及一载料车，载运复数的片状物料，该载料车可由该承载面通过各该密封门而进入前述的各该成形腔内，或由各该成形腔内退出至该承载面上，可由此提高生产速度，并可一次多片以批次方式成形。
由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法
本发明一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一绝缘衬底；步骤2：采用氢气对绝缘衬底进行高温刻蚀预处理，用于去除表面划痕等缺陷，将表面刻蚀平整；步骤3：对绝缘衬底进行高温氮化处理，用于活化外延表面，使后续碳化硅易于附着在衬底表面且与衬底保持相同晶向关系；步骤4：在绝缘衬底上外延六方相单晶态碳化硅；步骤5：将碳化硅中的硅原子蒸发掉，完成在绝缘衬底上制备石墨烯。
用于选择性沉积含硅膜的间断式沉积工艺
本发明提供了一种在间断式沉积工艺中在衬底上选择性地形成含硅膜的方法。该方法包括：提供包含生长表面和非生长表面的衬底；通过将衬底暴露于HX气体同时将衬底暴露于氯化硅烷气体脉冲，在生长表面上选择性地形成含硅膜。该含硅膜可以是硅膜或硅锗膜，所述膜选择性地形成在硅或硅锗生长表面上，但不形成在氧化物、氮化物或氧氮化物非生长表面上。
浮法线锡槽内玻璃镀硅膜的设备
浮法线锡槽内玻璃镀硅膜的设备，主要由设置于锡槽一侧的移动架、另一侧的支撑机构和装配于移动架上的输送架及置于输送架导梁上的镀膜气体反应装置组成。其移动架由配置平移、升降机构的底盘和置于底盘上设置有齿型、V型配合双轨的框架构成；其支撑机构具有升降调整机构、导梁支撑辊和气体反应装置定位拉紧机构；具有横跨锡槽导梁的输送架通过齿轮、槽轮装配于框架的配合双轨上，镀膜气体反应装置由配置行走轮的进、排气梁及配置于梁上的反应器组成；与气体反应装置相连接的驱动机构通过齿轮、槽轮装配在框架上部的配合双轨上。本实用新型与现行的同类设备相比较，具有操作方便，镀膜气体反应装置进出锡槽平稳安全、工作稳定可靠、镀膜质量好的特点。
用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片
本实用新型提供了一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片，该载片为方形薄片，中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽。本实用新型的载片用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量时，是将太阳电池片固定放置在载片的凹槽内，然后用可伸缩的钩子插入载片的两个挂钩孔内勾住载片，再一起放入一个盛有HF溶液的方形容器内进行腐蚀，可以清晰地观察到膜色的变化，能够很直观的判断太阳电池片氮化硅膜致密性的好坏。
|
|
|
|
|