1、超临界CO2微乳液去除光刻胶的研究
超临界二氧化碳(scCO2)作为一种新型清洗介质,由于其极低的表面张力、良好的扩散性及温和的临界条件,近年来被尝试用于微电子工艺中光刻胶的去除。目前这方面的研究大多集中在
含氟表面活性剂形成的 scCO2 微乳液(由于该类表面活性剂在scCO2中具有较大溶解度),而对于应用更环保,成本更低的烃类表面活性剂
在 scCO2 中形成微乳液来去除光刻胶鲜有文献报道。本文研究了在不同条件下,利用 scCO2 加入不含氟的助溶剂或表面活性剂,去除高温烘烤的光刻胶和高浓度离子注入后的光刻胶的去除特性,详细研究分析了表面活性剂、助溶剂及温度、压强、时间等因素对光刻胶去除效果的影响。主要进行的研究工作如下：1.对比研究了两种助溶剂在超
临界清洗中的作用效果在两种助溶
2、新型光刻胶及玻璃刻蚀应用研究
是关于环氧树脂改性超支化感光聚合物的合成、以该感光树脂制备厚型光刻胶极其在玻璃刻蚀加工方面的应用研究。以偏苯三酸酐、环氧氯丙烷和甲基丙烯酸缩水甘油酯一步反应制备了羧基功能化的感光超支化聚酯，通过环氧树脂两端的环氧基与超支化聚酯的羧基反应制备了改性感光聚合物，改变反应物配比，合成了不同感光特性的树脂。GPC、DSC、TGA及力学性能结果表明：当改性环氧树脂用量为70％(官能团比)时，聚合物的性能最佳。通过残膜率—曝光时间曲线表征了以超支化感光树脂配制的光刻胶的感光特性。初始曝光时间T_0，残膜反差值γ_(gel)可以通过多
3、化学增幅光刻胶及其在电子束光刻中的应用
通过沉淀聚合合成了聚(甲基丙烯酸-co-甲基丙烯酸甲酯-co-甲基丙烯酸叔丁酯-co-甲基丙烯酸异冰片酯)四元共聚物,合成了光产酸剂二苯碘三氟甲基磺酸盐,在净化室中以聚(甲基丙烯酸-co-甲基丙烯酸甲酯-co-甲基丙烯酸叔丁酯-co-甲基丙烯酸异冰片酯)四元共聚物为主体树脂,以二苯碘三氟甲基磺酸盐为光产酸剂,选择合适的溶剂进行配方优化实验,最终得到实验范围内的优化光刻胶,并进行系统的光刻试验。在甲苯中,以偶氮二异丁腈为引发剂进行共聚反应,得到一系列组成及分子量不同的聚(甲基丙烯酸-co-甲基丙烯酸甲酯-co-甲基丙烯酸叔丁酯-co-甲基丙烯酸异冰片酯)共聚
4、甲基丙烯酸酯光刻胶的制备及在滤光膜中的应用
彩色滤光片是液晶显示器重要组成部件，发展液晶显示器LCD产业，彩色滤光片技术是必须掌握的关键技术。彩色滤光片的技术重点又在于红、绿、蓝颜料光阻的研制和涂布工艺的研发。另外，对光刻工艺中的基片处理、前烘、曝光、显影、坚膜等工艺进行研究。得到了光刻最佳工艺条件。最佳光刻工艺条件为：前烘80℃、20min、曝光40s、显影50s、坚膜120℃、15min。最后，根据分光特性和粒度对颜料进行选择，并对颜料细化工艺中研磨配方进行了研究。通过透射电镜观测定颜料的粒径大小。颜料的最佳细化工艺研磨配方为：水25ml、颜料1g、玻璃砂2
5、耐高温紫外正型光刻胶和248nm深紫外光刻胶的研制
采用新的方法，合成出了一系列光刻胶成膜树脂的单体，包括：N-苯基甲基丙烯酰胺、N-p-羟基苯基甲基丙烯酰胺、N-p-乙酰氧基苯基甲基丙烯酰胺、对特丁氧酰氧基苯乙烯（PTBOCS）、N-羟基-5-降冰片烯-23-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯和
N-羟基-36-内氧桥-4-环己烯二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯；并对它们进行了 FT-IR 和1 H NMR 表征。制备了两种常用的
248nm 深紫外光刻胶用光致酸发生剂（PAG）对甲基苯磺酸三苯基硫鎓盐和 N－羟基邻苯二甲酰亚胺对甲基苯磺酸酯，对它们进行了
FT－IR 和1 H NMR 表征，测试了它们的热性能、紫外光吸收性能和溶解性能。结果表明它们
6、光刻概况及光刻前沿技术探讨—光刻胶的研究
7、化学放大型正光刻胶组合物
8、环烯烃聚合物与疏水性非甾族脂环添加剂光刻胶组合物
9、环状烯烃聚合物和添加剂光刻胶组合物
10、含有环烯烃聚合物与饱和甾族添加剂光刻胶组合物
11、改善光刻胶耐蚀刻性方法
12、化学增强型正光刻胶组合物
13、化学增强型光刻胶
14、含有环烯烃聚合物与疏水非甾族多脂环添加剂光刻胶组合物
15、改善光刻胶耐刻蚀性方法
16、光刻胶正胶组合物
17、一种形成光刻胶图形方法
18、厚膜光刻胶低温金属化制备方法
19、光刻胶组合物,其制备方法和用其形成图纹方法
20、在集成电路生产中清洗光刻胶组合物
21、化学放大型正光刻胶组合物
22、光刻胶洗涤组合物
23、具有腈和脂环族离去基团共聚物和包含该共聚物光刻胶组合物
24、氟化聚合物,光刻胶和用于显微光刻方法
25、用于光刻胶抗反射涂料
26、使用超临界二氧化碳法从衬底上去除光刻胶与残渣
27、用于深紫外线辐射光刻胶组合物
28、检测光刻胶剥离过程终点方法和装置
29、包括氟化铵光刻胶去除剂组合物
30、将干燥光刻胶膜层热层压到印刷电路板上方法
31、化学放大型正光刻胶组合物
32、化学放大型正光刻胶组合物
33、化学放大型正光刻胶组合物
34、化学放大型正光刻胶组合物
35、化学增强型正光刻胶组合物和锍盐
36、化学增强型正光刻胶组合物和锍盐
37、含脂环族溶解抑制剂正光刻胶组合物
38、化学放大型正光刻胶组合物
39、光刻胶树脂,化学增强光刻胶组合物与图样形成方法
40、光刻胶用剥离液组合物
41、含有氧和硫脂环族单元聚合物和包含该聚合物光刻胶组合物
42、具有酸反应性基团新颖含氟聚合物与使用这些材料化学增幅型光刻胶组合物
43、化学增强光刻胶与一种光刻胶合成物
44、光刻胶剥离剂组合物
45、光刻胶去除剂混合物
46、负作用化学放大光刻胶组合物
47、感光性树脂组合物/使用它感光性元件/光刻胶图案制造方法与印刷电路板制造方法
48、用于深紫外线光刻胶组合物与其方法
49、用于有机硅酸盐玻璃低K蚀刻应用中蚀刻后由氢进行光刻胶剥离
50、微刻用光刻胶组合物中溶解抑制剂
51、用于提高光刻胶附着无定形碳层
52、微石印术用光刻胶组合物中光酸产生剂
53、含有光刻胶组合物多层元件与其在显微光刻中应用
54、聚合物掺混物与其在用于微细光刻光刻胶组合物中应用
55、聚合物中保护基,光刻胶与微细光刻方法
56、消去光刻胶与OSG之间反应方法
57、化学增强型正光刻胶组合物
58、光刻胶组合物
59、用于剥离光刻胶组合物
60、光刻胶用剥离液和使用该剥离液光刻胶剥离方法
61、反射防止膜光学常数决定方法和光刻胶图形形成方法
62、确定晶片对准标记外围辅助图形方法与所用光刻胶掩模
63、光刻胶层中减小图案大小方法
64、光刻胶用剥离液和使用该剥离液光刻胶剥离方法
65、光刻胶组合物
66、光刻胶用剥离液和使用该剥离液光刻胶剥离方法
67、化学放大型正性光刻胶组合物
68、光刻胶组合物
69、光刻胶沉积设备与使用该设备形成光刻胶薄膜方法
70、与外涂光刻胶一起使用涂料组合物
71、与外涂光刻胶一起使用涂料组合物
72、光刻胶图案形成方法和光刻胶层合体
73、光刻胶掩模与其制作方法
74、环状锍和氧化锍与含有它们光致酸生成剂和光刻胶
75、负性光刻胶树脂涂布液与其制备方法
76、PS版和光刻胶用合成树脂与制备方法
77、用于生产光学信息介质用光刻胶母模和印模方法
78、用于微型平板印刷术多环含氟聚合物与光刻胶
79、短波成像用溶剂和光刻胶组合物
80、用于深紫外光刻术光刻胶组合物
81、适于光刻胶组合物聚合物
82、含有含多个酸不稳定部分侧基团聚合物光刻胶组合物
83、衬底处理和光刻胶曝光方法
84、光刻胶组合物/层压材料/图案形成方法和制造半导体器件方法
85、用于光刻胶感光树脂组合物
86、负作用水性光刻胶组合物
87、用于液晶设备正型光刻胶组合物
88、包含添加剂用于深UV辐射光刻胶组合物
89、正型光刻胶组合物与光刻胶图案形成方法
90、适用作光刻胶可紫外线固化粉末
91、正型光刻胶组合物与光刻胶图案形成方法
92、光刻胶脱膜组成物与使用该组成物模型形成方法
93、光刻胶剥离除去方法与装置
94、光刻胶剥离组合物与清洗组合物
95、光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺
96、用于形成防反射膜涂布液组合物/光刻胶层合体与光刻胶图案形成方法
97、高分辨率映像装置用光刻胶
98、一种光刻胶涂敷装置
99、光刻胶图案增厚材料/包含它光刻胶图案与其应用
100、光刻胶图案增厚材料/光刻胶图案与其形成工艺，半导体器件与其制造工艺
101、磺酸盐和光刻胶组合物
102、化学增强型光刻胶组合物
103、负性深紫外光刻胶
104、一种用于正性或负性光刻胶清洗剂组合物
105、包含缩醛和缩酮作为溶剂光刻胶组合物
106、除去光刻胶和蚀刻残渣方法
107、光刻胶膜除去装置和光刻胶膜除去方法与有机物除去装置和有机物除去方法
108、光刻胶除去装置和光刻胶除去方法
109、纳米压印光刻胶
110、去除光刻胶和蚀刻残留物方法
111、包含光活性化合物混合物用于深紫外平版印刷光刻胶组合物
112、光刻胶剥离剂组合物
113、集成电路制造技术中可消除光刻中光刻胶毒化工艺
114、双层光刻胶干法显影方法和装置
115、光刻胶用抗反射组合物
116、光刻胶去除
117、光刻胶层中减小图案尺寸方法
118、光刻胶层中减小图案尺寸方法
119、光刻胶层中减小图案尺寸方法
120、正性光刻胶制作方法
121、使用光刻胶层来形成多重导线连接方法
122、化学放大型光刻胶组合物
123、光刻胶灵敏度评价方法和光刻胶制造方法
124、改善蚀刻后光刻胶残余半导体器件制造方法
125、使用T型光刻胶图案来形成缩小导线图形方法
126、聚合物和含有该聚合物光刻胶
127、光刻胶修整方法
128、氟化硅-聚合物和包含该聚合物光刻胶
129、光刻胶三维刻蚀过程模拟动态元胞自动机方法
130、正型光刻胶组合物与使用其形成光刻胶图案方法
131、设计图形/光掩模/光刻胶图形与半导体器件制造方法
132、用于涂布EUV平板印刷术基底方法和具有光刻胶层基底
133、磺酸盐和光刻胶组合物
134、化学放大型正光刻胶组合物与其树脂
135、带有环状缩酮保护基含硅光刻胶体系
136、氟代环烯烃聚合物与在深紫外类光刻胶中应用
137、交联聚合物/有机抗反射涂层组合物与形成光刻胶图案方法
138、利用具有碳层传输掩模构图晶片上光刻胶方法
139、涂料组合物/抗反射膜/光刻胶与采用该光刻胶图形形成方法
140、使用具有多层ARC反射掩模在晶片上图案化光刻胶方法
141、利用衰减相移掩模图案化晶片上光刻胶方法
142、化学放大型正型光刻胶组合物
143、控制光刻胶组合物溶解速率差方法
144、用于深UV光刻胶组合物与其成像方法
145、适合用来除去光刻胶/光刻胶副产物和蚀刻残余物组合物与其应用
146、提供改良双层光刻胶图案方法
147、正型光刻胶组合物与形成光刻胶图案方法
148、光刻胶聚合物组合物
149、微光刻技术用光刻胶组合物中溶解抑制剂
150、正型光刻胶组合物与光刻胶图案形成方法
151、增强光刻胶黏性无定形碳层
152、用于有机硅化物玻璃一氧化二氮去除光刻胶方法
153、在光刻胶去除过程中最小化阻障材料损失方法
154、改善沉积介电膜上显影后光刻胶外形方法
155、包括金刚形烃衍生物光刻胶组合物
156、用于从衬底去除光刻胶方法和设备
157、用于深紫外光刻胶组合物与其工艺
158、形成光刻胶图案方法
159、含有包括氟磺酰胺基团聚合物正型光刻胶组合物与其使用方法
160、化学放大型正光刻胶组合物
161、稀释剂组分与用其除去光刻胶方法
162、从光刻胶和剥离液中回收有机化合物方法
163、光刻胶成膜树脂制备中聚合物选择水解方法
164、一种化学放大型正光刻胶组合物
165、化学放大型正光刻胶组合物，(甲基)丙烯酸酯衍生物与其制备方法
166、光刻胶组合物
167、用于涂覆光刻胶图案组合物
168、光敏聚合物与含有该聚合物化学扩增光刻胶组合物
169、用于涂敷光刻胶装置和方法
170、等离子室系统与使用该系统灰化光刻胶图案方法
171、软烘焙基板上光刻胶装置和方法
172、涂布膜加热装置和光刻胶处理装置
173、光刻胶保护膜用组合物/光刻胶保护膜与光刻胶图形形成方法
174、与外涂光刻胶一起使用涂料组合物
175、去除光刻胶方法与再生光刻胶方法
176、用于光刻胶感光树脂组合物
177、用于光刻胶感光树脂组合物
178、具有多环内脂结构单元聚合物在深紫外光刻胶中应用
179、包含具有螺环缩酮基团单体光刻胶聚合物与其组合物
180、用于剥离光刻胶组合物与薄膜晶体管阵列面板制造方法
181、光刻胶组合物/层压材料/图案形成方法和制造半导体器件方法
182、化学放大型光刻胶组合物
183、光刻胶涂覆装置与其方法
184、用于在制造半导体器件等中分配光刻胶方法和设备
185、具有改善抗蚀性能氟化光刻胶材料
186、光刻胶组合物
187、光刻胶组合物
188、光刻胶组合物
189、光刻胶聚合物/光刻胶组合物与制造半导体装置方法
190、光刻胶组合物和使用方法
191、利用处理光刻胶来制造半导体器件方法
192、浸液曝光用正型光刻胶组成物与光刻胶图案形成方法
193、用于形成液浸曝光工艺用光刻胶保护膜材料/与使用该保护膜光刻胶图案形成方法
194、用于去除光刻胶组合物
195、用于去除光刻胶组合物
196、采用负性光刻胶组合物形成电镀产品方法与在该方法中使用光敏组合物
197、光刻胶保护膜形成用材料与使用该材料光刻胶图案形成方法
198、光刻胶保护膜形成用材料与使用该材料光刻胶图案形成方法
199、脱除衬底上光刻胶方法
200、用于光刻胶抗反射组合物
201、包括具有氢流速渐变光刻胶等离子体老化步骤蚀刻方法
202、用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除组合物和方法
203、光刻胶和刻蚀残留物低压去除
204、光刻胶和刻蚀残留物低压去除
205、含有树脂掺合物光刻胶组合物
206、光刻胶组合物与用它形成薄膜图案方法与用它制备薄膜晶体管阵列板方法
207、一种用于去除集成电路光刻胶清洗液
208、一种制备光刻胶图形方法
209、缩小光刻胶接触孔图案临界尺寸方法
210、消除光刻胶中气泡方法与凸点制作方法
211、光刻胶残留物清洗方法
212、光刻胶涂布系统
213、形成光刻胶图案方法
214、深紫外负性光刻胶与其成膜树脂
215、深紫外正性光刻胶与其成膜树脂
216、光刻胶再生方法与其系统
217、利用具有热流动特性负光刻胶层制造半导体方法
218、与外涂光刻胶一起使用涂层组合物
219、用于改进临界尺寸计算中使用光刻胶模型校准方法/程序产品与设备
220、光刻胶稀释剂制造方法
221、包括除去光刻胶等离子体灰化处理形成半导体器件方法
222、光刻胶单体与其聚合物与包含该光刻胶聚合物光刻胶组合物
223、光刻胶组合物,薄膜图案形成方法/TFT阵列面板制造方法
224、防止静电剧集光刻胶涂布机承载盘
225、用于光刻胶阻挡涂敷组合物与使用该组合物形成光刻胶图形方法
226、与外涂光刻胶一起使用涂料组合物
227、光刻胶去除剂组合物与用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片方法
228、半导体结构与使用其形成光刻胶图形和半导体图形方法
229、一种低蚀刻性光刻胶清洗剂与其清洗方法
230、一种光刻胶清洗剂
231、一种光刻胶清洗剂
232、一种用于光刻胶成膜光刻胶加热控制系统
233、低蚀刻性光刻胶清洗剂与其清洗方法
234、低蚀刻性较厚光刻胶清洗液
235、用于去除半导体器件改性光刻胶光刻胶去除剂组合物
236、光刻胶液供给装置与用于得到它改造套件
237、光刻胶液制备方法与使用该光刻胶液光刻胶膜
238、制备化学放大正性光刻胶用树脂方法
239、光刻胶组合物
240、光刻胶涂覆设备与光刻胶涂覆方法
241、双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形去除方法
242、低蚀刻性光刻胶清洗剂
243、清洗厚膜光刻胶清洗剂
244、光刻胶去除方法
245、形成光刻胶层方法
246、用于去除光刻胶组合物与利用该组合物形成图案方法
247、一种耐热负性光刻胶制备方法
248、化学增强型光刻胶组合物
249、适用于产酸物树脂和含有该树脂化学放大正性光刻胶组合物
250、用于半导体器件光刻胶去除剂组合物
251、存在常规低k和 或多孔低k介电材料时光刻胶剥除方法
252、用于光刻胶曝光后烘焙方法和设备
253、光刻胶膜卷材与其制造方法
254、用来在不存在氮化硅条件下进行硅KOH蚀刻负性光刻胶
255、改善光刻胶粘附性和重新使用一致性氢处理方法
256、用于半导体制造光刻胶剥离剂组合物
257、用于去除光刻胶稀释剂组合物
258、超支化聚硅氧烷基光刻胶
259、光刻胶气泡排除系统与排除方法
260、化学增幅光刻胶等效扩散模型建立方法
261、用叠层光刻胶牺牲层制备MEMS悬空结构方法
262、光刻胶去除方法与光刻工艺返工方法
263、低蚀刻性光刻胶清洗剂
264、厚膜光刻胶清洗剂
265、光刻胶液清洗过滤器气泡方法
266、光刻胶去除方法和制造镶嵌结构方法
267、一种光刻胶清洗剂
268、光刻胶去除方法
269、光刻胶涂布方法与光刻图形形成方法
270、一种光刻胶清洗剂
271、一种厚膜光刻胶清洗剂
272、一种光刻胶清洗剂
273、涂底方法与光刻胶涂布方法
274、光刻胶供应装置
275、一种光刻胶去除方法
276、一种光刻胶清洗剂
277、用光刻胶热熔法制备球形凸起生物微电极阵列方法
278、用于光刻胶主体成膜树脂与其制备方法和应用
279、化学放大正性光刻胶组合物
280、用来与外涂光刻胶一起使用涂料组合物
281、基于负性光刻胶栅极注入掩膜层制备方法
282、用于光刻胶去除组合物和方法
283、感光化合物/感光组合物/光刻胶图案形成方法和元件制造方法
284、移除光刻胶方法
285、去除边缘光刻胶装置
286、光刻胶组合物和使用其制备滤色片基片方法
287、光刻胶剥离剂组合物
288、制作光刻胶图案工艺
289、多元酚化合物和含有该化合物化学放大型光刻胶组合物
290、利用处理液除去基板光刻胶并用臭氧处理处理液
291、半导体制造中去除钛或氮化钛层上光刻胶方法
292、基于光刻胶斜坡宽度加权光学近似修正模型校准方法
293、感光性树脂组合物与使用该组合物光刻胶膜
294、感光化合物/感光组合物/光刻胶图案形成方法和器件制造方法
295、感光化合物/感光组合物/光刻胶图案形成方法和器件制造方法
296、一种环氧改性酚醛清漆树脂和由其得到光刻胶组合物
297、形成光刻胶层压基板/电镀绝缘基板/电路板金属层表面处理与制造多层陶瓷电容器方法
298、聚合物光刻胶超声时效装置和方法
299、光刻胶残留物清洗剂
300、光刻胶剥离液
301、一种正性光刻胶剥离液与其制备方法
302、一种负性彩色光刻胶脱胶剂与其制备方法
303、基于多光刻胶有效扩散长度光学临近修正模型校准方法
304、正性光敏聚酰亚胺光刻胶用中性显影液
305、正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液
306、负性含氟光刻胶组合物与在聚合物光波导器件中应用
307、凹球面光学器件旋涂光刻胶方法
308、用于凹球面器件旋涂光刻胶辅助装置
309、一种酸酐改性酚醛树脂和由其得到光刻胶组合物
310、光刻胶组合物与使用其形成光刻胶图案方法
311、光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜方法
312、光刻胶组合物/其涂覆方法/形成图案方法与显示器
313、对光刻胶具有高选择比无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法
314、移除晶圆后侧聚合物和移除晶圆前侧光刻胶工艺
315、一种在凸面基底上直接制作光刻胶母光栅方法
316、酚聚合物与包含该酚聚合物光刻胶
317、光刻胶组合物和使用其制造薄膜晶体管基底方法
318、控制光刻胶分配装置和方法
319、一种酚醛清漆树脂/其制备方法与含有该树脂光刻胶组合物
320、一种测量光刻胶掩模槽形结构参数方法
321、大幅面光刻胶玻璃板曝光后自动喷淋显影装置与方法
322、红外焦平面深微台面列阵加工光刻胶涂敷方法
323、光刻胶两次图案化
324、用于注入光刻胶保护层
325、不用光刻胶和贵金属活化剂线路板与其种子层制作方法
326、酯交换合成光刻胶单体碳刚性骨架结构丙烯酸酯类化合物方法
327、一种孔内光刻胶残余检测方法与相应孔条宽测量方法
328、一种光刻胶清洗剂组合物
329、双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层重做工艺
330、钝化光刻胶表面方法与光刻方法
331、光刻胶显影过程三维模拟可视化方法
332、改善快闪存储器制作工艺中光刻胶涂布缺陷方法
333、光刻胶层残留物清洗方法
334、避免光刻胶层图形损伤方法
335、涂胶机光刻胶管理系统
336、深紫外光刻胶用于湿法腐蚀方法
337、凹模热压印中应用光刻胶整形改善填充和减少残胶方法
338、以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀方法
339、避免光刻胶层图形损伤方法
340、光刻胶涂布装置
341、在边缘光刻胶去除过程中减少晶圆缺陷方法与晶圆结构
342、液晶显示器滤色器阵列制造中光刻胶剥离剂组合物
343、减少光刻胶中毒现象方法
344、减小光刻胶图案特征尺寸方法
345、光刻胶形成方法
346、形成对称光刻胶图形方法
347、一种厚膜光刻胶清洗液与其清洗方法
348、一种厚膜光刻胶清洗液与其清洗方法
349、一种烘烤光刻胶方法与使用该方法装置
350、化合物与含有该化合物化学增幅光刻胶组合物
351、超支化聚酯微光学光刻胶
352、应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记方法
353、光刻胶去除方法
354、光刻胶去除方法
355、一种光刻胶清洗剂组合物
356、一种光刻胶清洗剂
357、一种光刻胶清洗剂
358、一种光刻胶清洗剂组合物
359、一种电热驱动光刻胶微夹钳制作方法
360、具有低水含量光刻胶-去膜液浓缩溶液生产方法
361、无需光刻胶或干蚀刻而形成图案化硬掩膜(RFP)工艺顺序
362、具有光刻胶掩模预处理等离子体工艺
363、对浸渍光刻胶具有选择性有机抗反射涂层蚀刻方法
364、通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构方法
365、低释气性光刻胶组合物
366、降低光刻胶层在等离子体浸没式离子注入中降解方法
367、光刻胶残留物去除用组合物
368、自动控制光刻胶厚度方法和系统
369、光刻胶图形修正方法
370、用于监测光刻胶保存时间方法和系统
371、用于硅衬底湿法刻蚀直接光刻胶掩膜光刻工艺方法
372、用于电子束光刻胶PMMA显影液与其配制方法
373、在电子束曝光前对涂有光刻胶晶片进行聚焦调节方法
374、光刻胶剥离液组合物
375、适于与外涂敷光刻胶一起使用涂料组合物
376、一种利用负性光刻胶制作底栅型FED下板图形方法
377、一种利用正性光刻胶制作底栅型FED下板图形方法
378、一种处理光刻胶方法和装置
379、深N阱工艺去除光刻胶方法
380、全息凹面光栅负一级光刻胶监测系统
381、曝光机台/阵列基板/图案化薄膜/光刻胶层与形成方法
382、一种悬架结构光刻胶涂胶方法
383、产生光刻胶图案方法
384、产生光刻胶图案方法
385、一种利用超临界水剥离SU-光刻胶装置与方法
386、光刻胶干燥设备和方法
387、去除光掩模光刻胶方法
388、一种掩模用光刻胶微凸镜列阵等离子体回流成形方法
389、一种光刻胶烘焙装置
390、光刻胶和光刻胶图形优化方法
391、光刻胶图形优化方法和接触孔形成方法
392、一种用于厚膜光刻胶清洗液
393、光刻胶喷涂装置与方法
394、去除晶片上光刻胶层方法
395、一种制备倒梯形光刻胶截面方法
396、延长光刻胶有效使用寿命方法
397、新型共聚物和含有该共聚物光刻胶组合物
398、与外涂光刻胶一起使用涂料组合物
399、与外涂光刻胶一起使用涂料组合物
400、一种光刻胶清洗液
401、移除光刻胶方法
402、高温高压水辅助超临界二氧化碳剥离光刻胶装置与方法
403、光刻胶下层聚合物和光刻胶下层组合物与用其图案化方法
404、去除光刻胶方法与装置
405、一种光刻胶清洗液
406、光刻胶组合物
407、提高光刻胶抗刻蚀能力方法
408、高含氟负性光刻胶与其在聚合物光波导器件中应用
409、适合用来除去光刻胶/光刻胶副产物和蚀刻残余物组合物与其应用
410、一种借助悬架光刻胶实现硅通孔互连方法
411、一种用于MEMS结构悬架光刻胶平坦化工艺
412、具有金属保护光刻胶剥离液组合物
413、光可逆纳米压印光刻胶与其制备和应用方法
414、光刻胶涂覆方法
415、光刻胶组合物
416、光刻胶组合物
417、光刻胶组合物
418、含纳米硅深紫外正性光刻胶与其成膜树脂
419、含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶与其成膜树脂
420、化学增幅型高分辨率含硅I-线紫外光刻胶与其成膜树脂
421、含纳米硅紫外厚膜正性光刻胶与其成膜树脂
422、紫外厚膜光刻胶与其成膜树脂
423、含硅I-线紫外正性光刻胶与其成膜树脂
424、光刻胶涂覆监控方法
425、光刻胶组合物和使用其制造显示基板方法
426、一种均匀喷涂光刻胶方法
427、含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶与其成膜树脂
428、化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶与其成膜树脂
429、多层结构微部件与固化SU光刻胶薄片加工方法
430、厚光刻胶背面斜入射光刻工艺三维光强分布模拟方法
431、一种光刻胶剥离液
432、光刻胶组合物
433、磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂光刻胶
434、光刻胶与其使用方法
435、高掺杂注入光刻胶剥离工艺
436、光刻胶喷嘴更换辅助定位半自动固定装置
437、含巯基低倍多聚硅氧烷化合物与其紫外光刻胶组合物与压印工艺
438、一种在微电子或光电子芯片上光刻胶沉积方法
439、用于显影光刻胶装置与用于操作该装置方法
440、光刻胶涂布方法
441、一种光刻胶三维刻蚀过程模拟改进快速推进方法
442、光刻胶显影工艺与其装置
443、一种通过正负光刻胶复合显影制备微纳米流体系统方法
444、一种减少光刻胶中毒通孔介电阻挡层制作方法
445、光刻胶剥离剂废液回收系统与其方法
446、用于微光刻工艺多相高硅光刻胶成像方法/多相高硅光刻胶与应用
447、高含氟芳香-脂肪负性光刻胶与用于制备聚合物波导器件
448、一种光刻胶组合物
449、环保型光刻胶组合物
450、含羟基烃基双环胍光碱产生剂环保型光刻胶组合物
451、低污染型光刻胶组合物
452、一种利用光刻胶固化作用减少阱邻近效应制程
453、提高光刻胶膜与衬底表面粘合度装置与其应用方法
454、一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常方法
455、一种光刻胶组合物与其制备方法和应用
456、喷涂光刻胶方法
457、内置光刻胶检测单元退火装置/光刻胶检测方法
458、一种防止在金属层上形成光刻胶孔洞方法
459、一种提高光刻胶曝光精度方法
460、正性光刻胶组成物与其制备方法
461、一种TFT液晶显示器返修制程中光刻胶剥离方法
462、193nm远紫外光刻胶及其制备方法
463、电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法
464、含硅偶联剂的共聚物成膜树脂及其193nm光刻胶
465、基于SU-8厚光刻胶的三维圆滑曲面微结构的制作方法
466、193nm远紫外光刻胶及其制备方法
467、含硅偶联剂的193nm光刻胶及其成膜树脂
468、含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂
469、基于SU-8光刻胶的纳米流体系统自支撑结构的制作方法
470、提高7350光刻胶热稳定性的方法
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