1、高比表面积碳化硅的合成及在CO氧化反应中应用
以蔗糖为碳源，正硅酸乙酯(TEOS)为硅源，草酸为TEOS水解的催化剂采用溶胶凝胶法制备碳化硅前体，通过惰性气氛和动力真空的碳热还原方法合成一系列高比表面积碳化硅。用XRD、IR、SEM、TEM和低温N2吸附-脱附等手段对合成的样品进行表征，筛选出适合于氨合成反应的高比表面积碳化硅作为催化剂载体，制备一系列钌催化剂，并在一定的温度和压力条件下考察了制备的钌催化剂在氨合成反应中的活性。取得了以下有意义的研究结果：1.在碳化硅前驱体的制备中发现：当水/TEOS物质的量比为7.5或加入镍盐催化剂均能减少凝胶形成所需的时间。2.惰性气氛下......................共76页
2、碳化硅电热材料制备及结构与性能
以颗粒紧密理论为基础，将高性能的水溶性塑化剂复配使用，利用硬塑挤出成型工艺和重结晶烧结法制备出密度高达2.58 g.cm的碳化硅电热元件。讨论了颗粒级配和塑化剂对碳化硅电热元件硬塑挤出成型的影响，并对最终制品的结构与性能进行了分析。
实验结果表明，在碳化硅电热材料的硬塑挤出成型中，挤出压力主要用来克服颗粒间以及颗粒与筒壁之间的摩擦阻力。高性能的塑化剂溶液能与碳化硅陶瓷颗粒表面产生较好的界面结合，其溶液也具有较高的......................共59页
3、凝胶注模成型反应烧结碳化硅的制备工艺
通过对低粘度、高固含量碳化硅/炭黑浆料的制备技术以及凝胶注模成型工艺参数的研究，制备了结构均匀、致密度高的反应烧结碳化硅坯体，并对坯体和烧结试样的力学性能及影响因素进行了测试分析。同时，对凝胶注模成型工艺制备的短切碳纤维增强反应烧结碳化硅复合材料的工艺和性能进行了研究和探讨。研究了碳化硅/炭黑料浆制备过程中碳化硅颗粒级配、球磨时间、分散剂种类及用量、料浆pH值、有机单体含量以及固相含量等因素对料浆粘度的影响，制备出了固相含量高达60vol﹪，流变性能够满足凝胶注模工艺要求的碳化硅/炭黑料浆。研究了浆料抽真空时间对坯体......................共98页
4、碳化硅\碳化钛纳米材料制备
采用高温裂解过渡金属有机化合物及还原法制备出了：β-SiC纳米线和TiC纳米空心球。通过对实验结果的分析并结合相关的文献报道，分别对它们的生长机理进行了探讨。此外，还测试了TiC空心球的比表面积(78.30m2/g)及球壁的孔径尺寸(0.04
cm3/g)。论文主要内容归纳如下： 1.500℃条件下利用金属钠在高压釜中分别还原四氯化硅和高温裂解过渡金属有机化合物二茂铁制备出了SiC材料。X-射线粉末衍射显示制得的样品为面心立方相的碳化硅(β-SiC)，经......................共80页
5、反应烧结SiC与复合材料合成与制备
一种高性能坯体成型技术—凝胶注模法成型PCRBSC的工艺及性能。同时为了改善RBSC陶瓷材料固有的脆性，将碳化硅晶须(SiCw)引入RBSC体系，提出了一种制备致密化SiCw/SiC复合材料的思路并做了初步的探索。
凝胶注模成型是制备高性能坯体的一种有效方法，获得高固相体积含量(≥50vol％)、低粘度的料浆是成型的关键所在，但炭黑粒子由于粒径很小(30nm左右)，表面积很大，所以易团聚而难以分散均匀。且料浆固相含量过高时，成型的坯体碳密度也会......................共50页
6、纳米多孔碳化硅烧结制备工艺
分别以微米和纳米碳化硅粉末为原料，采用粉末冶金的烧结工艺，成功的制备了纳米多孔碳化硅，并分析了多孔碳化硅的结构，同时测试了其光致发光谱。多孔碳化硅的制备过程包括原始粉末的净化、压坯的压制、烧结过程和烧结样品的后续处理。对于微米粉末，压坯在750MPa压力下压制成型，烧结温度为1600～1800℃，烧结时间为4～7h；而对于纳米碳化硅粉末，压坯在1000MPa压力下压制成型，烧结温度为1600℃，烧结时间为4～5h，所有压坯都在1.0atm的......................共58页
7、多热源熔透法合成碳化硅研究
目前，大规模工业生产SiC的方法有Acheson法和多热源法两种。Acheson法经过多年的应用已经很成熟，但生产的产品能耗高、产量低、质量差，生产成本居高不下。现在应用比较广泛的多热源合成SiC技术具有温度梯度小，热场均匀，SiC生成区域宽，合成的产品能耗低、产量高的特点。但是如果工艺控制不严格，产品结合部易石墨化、晶体缺陷多，影响了产品质量。多热源熔透法合成SiC经过实验室试验和工业化试验已经很成熟，在新疆得到了广泛推广。它在反应前期由多个热源发热，在反应后期由一个热......................共46页
8、碳化硅低温烧结工艺与性能
研究了低温烧结碳化硅的工艺原理及工艺过程;从液相结机制和反应烧结机制入手,并辅助以纳米氮化硅粉的加入,希望能找到一种低温烧结途径,并使材料达到良好的使用要求.经过分析和实验发现,在1600℃保温2小时,以Al<,2>O<,3>、Y<,2>O<,3>为添加剂而进行的液相烧对机制,因烧结温度过低无法形成液相而导致失败.但以加篱一喧量硅粉,通入氮气,在1400℃保温2小时,使之生成氮化硅结合碳化硅窑具材料的反应烧结工艺
取得了良好的效果.在反应中加入少量的纳米氮化硅粉作为稀释剂,使硅米与氮气反就生成的氮化硅可以......................共65页
9、碳熱還原燒結碳化矽陶瓷
使用粒徑1 ~ 10 μm與40 ~ 60 μm的α-SiC粉末依不同的比例加水混合來獲得適合注漿成型條件。以適合注漿成型條件加入0%、1%、2%、5%之碳化硼的碳化矽作為胚體並覆上二氧化矽，分別在不同溫度下於空氣中與CO/CO2氛圍中進行燒結，以X射線繞射儀和核磁共振儀分析是否生成β相碳化矽，判斷是否發生碳熱還原反應，並比較其燒結體之體密度、結構與電阻率等特性。由實驗結果得知在未加入塑化成型劑時，適合成型比例為粒徑1~10
μm、40~60μm與水以重量比3:3:4混合製成漿料，所得之胚體較不易粉碎......................共76页
10、一种碳化硅颗粒填充铸型尼龙复合材料制备方法
11、利用河沙制备赛隆结合碳化硅陶瓷粉体方法
12、一种高温碳化硅半导体材料制造装置
13、一种高强度碳化硅泡沫陶瓷与其制备方法
14、纯碳粉水基分散一步法制造反应烧结碳化硅陶瓷材料方法
15、利用河沙制备碳化硅晶须方法
16、一种碳化硅生产方法
17、碳化硅生产方法
18、碳化硅晶须强韧化氮化硅基陶瓷轧辊材料制造方法
19、用作电源开关碳化硅N沟场效应晶体管与其制造方法
20、碳化硅横向场效应晶体管和制造方法与其使用
21、高温应用碳化硅场效应晶体管与其使用和制造方法
22、钒不占主导半绝缘碳化硅
23、采用碳化硅进行红外辐射检测
24、在沿 1100 方向切割基片上生长碳化硅外延层
25、降低磷离子注入（0001）取向4H-碳化硅电阻率方法
26、低微管100mm碳化硅晶片
27、100毫米高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
28、低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片
29、低翘曲度/弯曲度和TTV75毫米碳化硅晶片
30、100毫米高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
31、碳化硅晶体生长方法和装置
32、采用如碳化硅所制成电加热元件
33、在碳化硅中制造双极结晶体管方法和得到器件
34、一种制备碳化硅 碳，碳化硼 碳功能梯度材料方法
35、块状碳化硅单晶生长制备方法
36、在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜方法
37、碳化硅电热元件烧成碳管炉
38、碳化硅电热元件与生产工艺
39、一种制备碳化硅纤维或织物方法
40、碳化硅反射镜坯体成型工艺方法与胀缩模具
41、一种亚微米级碳化硅生产方法
42、一种制备碳化硅多孔陶瓷管方法
43、一种纳米碳化硅材料制备方法
44、一种聚合物基碳化硅颗粒增强复合材料与生产方法
45、一种碳化硅片状晶体制备方法
46、变功率送电冶炼碳化硅方法
47、冶炼碳化硅多炉芯炉与其生产碳化硅方法
48、碳化硅材质热处理用工具
49、一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料原位复合方法
50、碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管方法
51、用于在碳化硅中形成通孔方法以与所获得器件和电路
52、利用NO在碳化硅层上制造氧化物层方法
53、碳化硅肖特基器件外延边端与制造组合该边端碳化硅器件方法
54、短沟道碳化硅功率MOSFETS与其制造方法
55、用于阴极射线管应用碳化硅涂层
56、用煤矸石制备β－赛隆结合碳化硅复相粉体方法
57、制造具有碳化硅膜半导体器件方法
58、碳化硅质材料热处理用夹具
59、一种对钛碳化硅材料铝－稀土共渗方法
60、一种在钛碳化硅材料表面制备硅化物涂层方法
61、含反应合成碳硼铝化合物相碳化硅陶瓷与其液相烧结法
62、制造晶片用碳化硅舟切割制造方法
63、在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构方法
64、碳纤维表面涂复碳化硅工艺和装置
65、一种冶炼碳化硅方法与其装置
66、单晶碳化硅薄膜制造方法与制造设备
67、一种碳化硅介孔材料与其制备方法
68、一种高比表面积碳化硅与其制备方法
69、一种表面涂层碳化硅发热体
70、一种碳化硅陶瓷材料压注成型工艺
71、表面涂层碳化硅发热体
72、一种含有碳化硅远红外涂料
73、铝碳化硅复合材料与其构件制备方法
74、耐高温多晶碳化硅纤维制备方法
75、皮芯双组分纤维法制备连续碳化硅纤维生产工艺
76、用于旋转喷头碳化硅耐火陶瓷材料
77、以碳化硅为基板发光元件
78、等离子体化学气相合成法制备碳化硅陶瓷粉体工艺
79、碳化硅冶炼中回炉料碳硅比测定方法
80、碳化硅冶炼温度测控技术
81、碳化硅表面改性方法
82、制备碳化硅和任选制备铝和硅铝明(铝硅合金)方法
83、利用在氢气环境中退火在碳化硅层上制备氧化物层方法
84、碳化硅等离子体刻蚀
85、用于高击穿电压半导体器件高阻碳化硅衬底
86、不具有钒控制半绝缘碳化硅
87、用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率方法
88、碳化硅肖特基势垒二极管与其制作方法
89、碳化硅过滤器与其制备方法
90、德尔塔掺杂碳化硅金属半导体场效应晶体管与其制造方法
91、高电阻率碳化硅单晶体与制造方法
92、大面积碳化硅器件与其制造方法
93、大面积碳化硅器件与其制造方法
94、埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底制作方法和制作装置
95、碳化硅电加热元件
96、一种碳化硅型壳其制备与在定向凝固中应用
97、一种改进碳化硅薄板
98、抗氧化碳化硅浇注料
99、一种碳化硅晶须和微粉工业制备方法
100、铜包裹纳米碳化硅颗粒制备纳米复合粉体颗粒方法
101、以酵母粉为造孔剂碳化硅多孔陶瓷制备方法
102、一种含碳化硅和聚四氟乙烯镍磷基复合涂层
103、一种碳化硅纳米棒制备方法
104、一种冶炼碳化硅方法与其装置
105、碳化硅沟槽式金氧半电晶体
106、掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料方法
107、碳化硅／铜金属陶瓷高温电接触复合材料制备方法
108、以Al为助剂原位热压反应制备单相致密钛碳化硅块体材料方法
109、微铸碳化硅纳米压印模
110、一种高强度致密泡沫碳化硅陶瓷材料与其制备方法
111、一种高强度致密碳化硅陶瓷球与其制备方法
112、一种制备碳纤维增强碳化硅复合材料装置与工艺
113、一种制备碳化硅方法
114、碳化硅半导体器件
115、氮化硅和碳化硅一维纳米结构与其制备方法
116、磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺
117、处理碳化硅衬底改善外延沉积方法与形成结构和器件
118、生产低氧化硅/二氧化硅和 或碳化硅平面平行结构方法,采用这些方法获得平面平行结构和它们应用
119、向接收基板转移碳化硅薄层优化方法
120、气体驱动行星旋转设备与用于形成碳化硅层方法
121、碳化硅和无粘结剂碳复合体与其制造方法
122、带电子电路碳化硅微机电器件
123、具有碳化硅衬底发光二极管
124、在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率方法
125、其滑动面或密封面具有最佳摩擦性碳化硅烧结体
126、具有氧化层碳化硅陶瓷部件
127、从含碳化硅炉渣中提取碳化硅方法
128、以碳化硅为辅助反应介质聚乳酸微波辐射合成方法
129、金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器
130、一种碳化硅晶体生长装置
131、物理气相传输生长碳化硅单晶方法与其装置
132、制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层材料碳化硅方法
133、碳化硅浆料制备方法
134、浇注粗晶粒硅化碳化硅制品方法与设备
135、碳化硅功率MOS场效应晶体管与制造方法
136、一种简单碳 碳化硅复合材料制造方法
137、相对于掺杂碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃方法
138、用微波技术快速烧结氮化硅结合碳化硅耐火材料方法
139、一种碳化硅辐射接枝表面改性方法
140、一种碳化硅表面改性方法
141、一种制备碳化硅纳米纤维方法
142、碳化硅刚玉浇注料
143、黑色碳化硅冶炼降低单位耗料工艺
144、一种向缸套铬层内部挤入碳化硅方法
145、一种碳化硅发热元件冷端部制造方法
146、酚醛树脂作为结合剂碳化硅陶瓷常温挤压成形方法
147、一种一次成型碳化硅发热元件制造方法
148、一种碳化硅发热元件发热部制备工艺
149、利用碳化稻壳制造碳化硅方法
150、铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖与其制备方法
151、铝铬碳化硅耐火砖
152、湿法烟气脱硫装置中碳化硅雾化喷嘴制造方法
153、在硅衬底上生长碳化硅 氮化镓材料方法
154、在用于半导体器件硅或碳化硅上形成厚氧化物工艺
155、高韧性/高硬度碳化硅陶瓷液相烧结法
156、低温烧结高耐火度网眼碳化硅陶瓷过滤器与制备方法
157、短纤维增强碳化硅基复合材料制备方法
158、铝-碳化硅-碳质耐火材料
159、一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
160、以高纯固态碳素材料为主经渗硅制备高纯碳化硅烧结体方法与组合物
161、一种氮化硅 碳化硅多孔陶瓷制备方法
162、基于光固化原型热解碳化硅陶瓷复合材料成型工艺方法
163、碳化硅-氧化物层叠体与其制造方法以与半导体装置
164、碳纤维增强碳化硅复合材料刹车盘一种有效连接方法
165、带有结型场效应晶体管碳化硅半导体器件与其制造方法
166、稻草预处理和预处理稻草生产碳化硅与其复合材料方法
167、包覆钡铁氧体薄膜碳化硅电磁吸波材料与其制备工艺
168、碳化硅器件边缘环形端接
169、用于碳化硅包含主要由镍组成层反射式欧姆接触与其制造方法以与包含该接触发光器件
170、用于清洗碳化硅颗粒方法
171、具有自对准源区和阱区碳化硅功率器件与其制备方法
172、碳化硅晶体生长系统
173、碳化硅基陶瓷材料在腐蚀性环境中应用
174、碳化硅加热元件
175、通过在含氢气氛中升华生长减少碳化硅晶体中氮含量
176、碳化硅制品/其制造方法以与碳化硅制品洗净方法
177、制备碳化硅单晶方法
178、在含氢环境中超高纯碳化硅晶体生长
179、具有多孔性碳化硅基层发光二极管与其制法
180、金属-碳化硅欧姆接触局部退火与其形成装置
181、使用梨晶生长碳化硅漂移层形成功率半导体器件方法和由此形成功率半导体器件
182、经处理以清除自由碳半导体衬底加工装置碳化硅部件
183、碳化硅半导体元件与其制造方法
184、沉积碳化硅和陶瓷薄膜方法
185、减少碳化硅外延中胡萝卜缺陷
186、一种碳化硅纳米纤维制备方法
187、制备高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料零件方法
188、制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料真空双搅拌装置
189、一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料连接方法
190、一种珠状碳化硅或氮化硅纳米链制备方法
191、碳化硅热处理装置和方法
192、一种方镁石—碳化硅复合材料与其制备方法
193、一种不定形方镁石—碳化硅复合耐火材料与其生产方法
194、纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管
195、纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
196、在碳 碳复合材料表面制备碳化硅涂层方法
197、纳米碳化硅颗粒增强镍基复合材料复合电铸制备方法
198、一种碳化硅陶瓷密封环
199、一种提高纳米碳化硅浸渍浆料固含量方法
200、镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料
201、镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料制备方法
202、碳化硅陶瓷素坯成型方法
203、一种碳化硅 二氧化硅同轴纳米电缆制备方法
204、碳纤维和碳化硅颗粒复合补强石英基复合材料与制备方法
205、一种碳化硅纳米线制备方法
206、铝-碳化硅-碳质耐火材料
207、原位反应法制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷
208、应变硅CMOS晶体管原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区
209、同束多形碳化硅纤维与其制备方法
210、碳纤维增强碳化硅复合材料防氧化涂层与其制备方法
211、光学反射镜用致密碳化硅涂层制备方法
212、蜂窝夹层结构碳化硅基复合材料反射镜与其制备方法
213、含铝连续碳化硅纤维制备方法
214、干熄焦用莫来石-碳化硅耐火材料与制备
215、一种碳化硅微粉生产工艺
216、碳 碳复合材料表面碳化硅纳米线制备方法
217、制备碳化硅晶须方法
218、三氧化二硼-碳化硅自润滑涂层与其制备方法
219、碳化硅晶须生成炉与生产碳化硅晶须方法
220、一种纳米级碳化硅粉体制备方法
221、旋转点切割大尺寸碳化硅晶体装置
222、一种碳化硅精细微粉生产方法
223、一种电阻率可控导电碳化硅泡沫陶瓷材料与其制备方法
224、一种碳化硅基多相复合陶瓷与其制备方法
225、一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷方法
226、具有纳米级碳化硅内在物耐火材料与其制造方法
227、利用微波技术烧结Sialon结合碳化硅耐火材料方法
228、基于熔融沉积快速成型技术碳化硅陶瓷零件制造工艺方法
229、碳 碳化硅复合材料瞬间液相扩散焊接方法
230、陶瓷烧结碳化硅颗粒磨块与其制作方法
231、尼龙增强碳化硅磨块与其制作方法
232、一种低成本/室温/快速制备碳化硅-镍核壳结构化学镀方法和工艺
233、碳化硅-碳微波吸收复合材料与其制备方法
234、碳化硅半导体装置与其制造方法
235、利用分层实体快速成型制造碳化硅陶瓷零件工艺方法
236、纳米碳化硅颗粒增强铝基复合材料与制备方法
237、碳化硅晶片制备方法
238、碳化硅晶须制备方法
239、碳化硅半导体元件与其制造方法
240、金刚石衬底上碳化硅和相关器件和方法
241、碳化硅(SiC)单晶制造方法以与通过该方法得到碳化硅(SiC)单晶
242、自对准碳化硅半导体器件
243、具有碳化硅耐久接触方法和器件
244、形成于碳化硅基板上氮化镓膜剥离方法与使用该方法制造装置
245、碳化硅器件与其制造方
246、铝-碳化硅质复合体
247、由碳化硅制造单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管与其制造方法
248、碳化硅单晶与其蚀刻方法
249、纯化碳化硅结构方法
250、用于大碳化硅单晶高品质生长籽晶和籽晶夹持器组合
251、碳化硅MOS场效应晶体管以与其制造方法
252、在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性方法
253、基于碳化硅与氮化硅粘合剂烧结耐火砖
254、制造高品质大尺寸碳化硅晶体方法
255、从用于等离子体处理设备硅和碳化硅电极表面除去黑硅和黑碳化硅方法
256、含碳化硅颗粒/制造碳化硅质烧结体方法/碳化硅质烧结体以与过滤器
257、具有超薄碳化硅中间层硅基可协变衬底与制备方法
258、纳米碳化硅助剂烧结高纯碳化硅蜂窝陶瓷体制造方法
259、碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管与制作方法
260、化学激励燃烧合成氮化硅 碳化硅复合粉体方法
261、一种生物结构球形多孔碳化硅陶瓷材料制备方法
262、高温/耐磨碳化硅陶瓷材料与其生产方法
263、一种合成仿生碳化硅晶须方法
264、一种方镁石-碳化硅-碳复合材料与其制备方法
265、一种碳化硅─堇青石复合多孔陶瓷与其制备方法
266、硼化物—碳化硅复相陶瓷与其制备方法
267、用于X射线光谱分析含碳化硅材料制样方法
268、一种用于砌筑高炉炉身石墨砖与碳化硅砖复合胶泥
269、气相渗硅工艺制备碳纤维增强碳化硅基复合材料方法
270、氧化锆 碳化硅热喷涂复合纳米粉与其生产方法
271、锆钛酸铅 碳化硅复合陶瓷材料与其制备方法
272、碳化硅纤维增强碳化硅复合材料制备方法
273、一种碳化硅纳米管化学气相沉积制备方法
274、一种微米/亚微米和纳米碳化硅纤维制备方法
275、一种碳纤维增韧碳-碳化硅基复合材料与其制备方法
276、碳 碳/碳 碳化硅复合材料与耐热合金连接方法
277、基体前驱物液汽相热解制备碳 碳-碳化硅复合材料方法
278、一种泡沫碳化硅陶瓷增强铜基复合材料摩擦片与制备方法
279、泡沫碳化硅 金属双连续相复合摩擦材料与其构件和制备
280、一种合成碳化硅纳米棒方法
281、一种合成两种不同形状碳化硅纳米线方法
282、一种试管刷状碳化硅制备方法
283、碳化硅-氮化硼陶瓷复合材料
284、一种碳化硅还原罐与制备方法
285、一种针状纳米碳化硅合成方法
286、一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒方法
287、碳化硅窑具与其制备工艺
288、碳化硅微粉回收方法
289、用天然高岭土制备碳化硅晶须 氧化铝复合陶瓷粉方法
290、具有碳化硅钝化层碳化硅双极结型晶体管与其制造方法
291、碳化硅半导体器件
292、一种碳化硅耐火陶瓷材料制备方法
293、碳化硅磁性氧化颜料组合物与其制作方法
294、一种含碳化硅/铁/碳/铬钼基金属陶瓷
295、用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜装置
296、一种碳化硅单晶生长后热处理方法
297、氧化物结合碳化硅质材料
298、液相烧结碳化硅陶瓷一种生产工艺
299、一种用预制YAG纳米粉作为烧结助剂碳化硅陶瓷生产工艺
300、碳化硅抗结皮浇注料与其制造方法
301、无色碳化硅晶体生长
302、碳 碳复合材料基二硅化钽 碳化硅涂层与其制备方法
303、一种碳 碳复合材料基碳化硅涂层与其制备方法
304、碳化硅器件电学隔离方法
305、β型碳化硅晶须增强方法与在激光快速成型中应用
306、喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉方法
307、常压烧结碳化硅制品快速烧结法
308、常压烧结碳化硅生坯制品模压成型方法
309、离子注入掩模与其制造方法,使用离子注入掩模碳化硅半导体器件与其制造方法
310、一种超细碳化硅粉末提纯方法
311、凝胶包裹-冷冻干燥工艺制备碳化硅多孔陶瓷方法
312、一种超硬碳化硅陶瓷纳米镜面磨削方法
313、具有高沟道迁移率碳化硅半导体器件与其制造方法
314、氮化硅与碳化硅制造热镀锌槽方法
315、生长非常均匀碳化硅外延层
316、氧化锆-碳化硅复合粉体制备方法
317、内衬碳化硅燃烧器
318、一种再结晶碳化硅制品制备技术
319、非圆形截面碳化硅纤维与其制备方法
320、一种嵌入物包括炭纤维多成份碳化硅陶瓷
321、棒状氧化铝颗粒结合炭纤维组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
322、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
323、一种嵌入物包括纤维/晶须多成份碳化硅陶瓷
324、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
325、片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
326、一种含碳化硅晶片碳化硅陶瓷组合物
327、一种嵌有增韧物质碳化硅陶瓷
328、含有多种特征形貌氧化铝分散嵌入颗粒碳化硅陶瓷
329、一种含炭纤维以与片状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷
330、一种含晶须/纤维以与棒状嵌入颗粒碳化硅陶瓷
331、一种含炭纤维碳化硅陶瓷组合物
332、一种含碳化硅晶须碳化硅陶瓷组合物
333、一种含碳化硅晶片以与片状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷
334、一种含纤维/晶须碳化硅陶瓷组合物制造方法
335、一种含碳化硅晶片碳化硅陶瓷组合物制造方法
336、一种含碳化硅晶片以与棒状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷
337、一种含炭纤维碳化硅陶瓷组合物制造方法
338、一种含碳化硅晶须以与棒状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷
339、棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
340、一种含炭纤维以与棒状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷
341、一种含晶须/纤维以与片状嵌入颗粒碳化硅陶瓷
342、一种含碳化硅晶须以与片状氧化铝嵌入颗粒碳化硅陶瓷
343、一种含碳化硅晶须碳化硅陶瓷组合物制造方法
344、一种三组元组合增韧料组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
345、一种含纤维/晶须碳化硅陶瓷组合物
346、利用片状氧化铝颗粒进行增韧碳化硅陶瓷制造技术
347、片状氧化铝颗粒结合炭纤维组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
348、一种三物质组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
349、一种嵌入物包括碳化硅晶须多成份碳化硅陶瓷
350、一种嵌入物包括碳化硅晶片多成份碳化硅陶瓷
351、碳化硅半导体装置与其制造方法
352、多孔陶瓷孔壁碳化硅涂层与其制备方法
353、一种含有伴生非晶态球状结构碳化硅纳米线与其制备方法
354、一种在碳纤维表面制备碳化硅涂层方法
355、一种氮化铝增强碳化硅陶瓷与其制备方法
356、一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片表面贴装片式熔断器与其制备方法
357、碳化硅衬底表面重建方法
358、碳化硅单晶制造方法
359、碳化硅层制造方法/氮化镓半导体器件以与硅衬底
360、制备碳化硅单晶方法
361、具有抑制少数载流子注入碳化硅结势垒肖特基二极管
362、碳化硅半导体器件与其制造方法
363、其上有碳化硅功率器件半导体晶圆处理方法
364、使用原子氧在碳化硅层上制造氧化层方法
365、碳化硅半导体器件
366、形成具有高反型层迁移性碳化硅MOSFETS方法
367、高比表面碳化硅基催化载体与过滤器
368、碳化硅前体与其用途
369、一种位于金属部件和碳化硅基和 或碳基陶瓷材料部件之间装配件
370、光激发碳化硅高压开关
371、高电压碳化硅半导体器件环境坚固钝化结构
372、铝-碳化硅复合体和使用该复合体散热零件
373、制造碳化硅半导体器件方法
374、一种铸型尼龙/碳化硅复合浮选机叶轮生产方法
375、一种低温合成碳化硅原料配方与方法
376、一种用于烧结三元催化汽车尾气过滤器陶瓷滤芯碳化硅超细粉与其生产方法
377、反应烧结碳化硅生产方法
378、一种碳纤维增强反应烧结碳化硅陶瓷与其制备方法
379、碳 碳-碳化硅陶瓷基复合材料制备方法
380、火焰热喷涂铝热剂包裹碳化硅颗粒陶瓷涂层制备方法
381、超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物与制备产品方法
382、铝碳化硅集成电路管壳凝胶注模材料组合物与制备产品方法
383、中体积分数铝碳化硅金属基复合材料组合物与制备产品方法
384、一种从切割废砂浆中回收硅粉和碳化硅粉方法
385、高掺杂浓度碳化硅外延生长方法
386、一种磁悬浮列车滑撬所用炭 炭-碳化硅材料制备方法
387、一种碳化硅反射镜材料制备方法与其CVI成形装置
388、炭 炭-碳化硅复合材料刹车闸瓦闸片制造方法
389、制备高比表面碳化硅纳米管方法
390、浮动催化法制备碳化硅 二氧化硅同轴纳米电缆
391、一种高耐压碳化硅光导开关
392、固相烧结碳化硅陶瓷表面腐蚀方法
393、一种以碳化硅为惰性基体核燃料与其制备方法
394、用膨胀石墨或柔性石墨纸制备碳化硅制品方法
395、一种制备纳米碳化硅方法
396、鱼雷罐用铝碳化硅碳砖与鱼雷罐内衬结构
397、鱼雷罐内衬结构和鱼雷罐用铝碳化硅碳砖/高铝砖
398、一种高温结晶碳化硅电热元件生产方法
399、高电阻常压烧结碳化硅制品生产方法
400、一种黑和绿碳化硅金刚砂墙砖制作方法
401、一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料表面处理方法
402、一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
403、基于氮化铝缓冲层硅基C-碳化硅异质外延生长方法
404、碳化硅复相陶瓷制备方法
405、碳纤维增强多孔型常压烧结碳化硅与其制备方法
406、纳米复合碳化硅陶瓷与其制备方法
407、锅炉除灰管道碳化硅补气环与其制作方法
408、锅炉煤粉管道碳化硅均流体与其制作方法
409、优质短碳纤维增韧碳化硅复合材料/制备方法与应用
410、可见光波段内碳化硅反射镜高反膜与其制备方法
411、超大尺寸碳化硅空间反射镜坯体制造方法
412、制备碳化硅多孔陶瓷燃烧合成法
413、一种制备碳化硅晶须增强碳化硅复合材料零件方法
414、逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料方法
415、一种碳化硅泡沫陶瓷太阳能空气吸热器
416、碳化硅半导体器件与其制造方法
417、碳化硅陶瓷液相烧结预混造粒粉料制备方法
418、一种低温制备立方碳化硅纳米线方法
419、一种蓄能发电兼顾生产碳化硅发电系统
420、一种碳化硅钛陶瓷粉体常压合成方法
421、一种无TiC杂质相碳化硅钛陶瓷粉体合成方法
422、电容耦合等离子体装置与在硅衬底上生长碳化硅薄膜方法
423、P型碳化硅器件与其制作方法
424、燃烧合成均质纳米碳化硅粉体方法
425、氧化铝纳米棒增韧碳化硅陶瓷制造方法
426、一种碳化硅陶瓷
427、一种能回收冶炼废气碳化硅冶炼炉
428、汽车气缸套内壁表面浸渗碳化硅新工艺
429、一种冶炼绿色碳化硅磨料方法
430、碳化硅质泡沫陶瓷过滤器
431、一种无损腐蚀碳化硅方法
432、采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜方法
433、纳米碳化硅陶瓷与其制备方法
434、碳化硅晶体生长方法和装置
435、一种包括炭纤维多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
436、一种包括碳化硅晶须多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
437、多形态氧化铝颗粒组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
438、一种包括碳化硅晶片多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
439、一种包括晶须/纤维多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
440、碳化硅陶瓷耐磨结构件与其制造方法
441、一种碳化硅陶瓷密封环
442、一种用于橡胶模具碳化硅陶瓷坯体制备方法
443、一种介孔结构高比表面碳化硅材料与其制备方法
444、一种高压氢还原法制备镍包碳化硅复合粉末方法
445、一种制备高体积分数碳化硅颗粒增强铜基复合材料方法
446、图形衬底上生长碳化硅厚膜方法
447、氧化硅上制备低阻碳化硅方法
448、一种改性碳化硅粉末与其制备方法
449、多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件与其制作方法
450、碳化硅半导体器件制造方法
451、制造碳化硅半导体器件方法
452、一种具有周期性孪晶结构碳化硅纳米线制备方法
453、一种冶炼绿色碳化硅磨料方法
454、刚玉-氮化硅-碳化硅复合浇注料
455、碳化硅二极管限压器
456、一种用于微电子机械系统碳化硅微通道制作方法
457、碳化硅射频微电子机械系统滤波器制作方法
458、复杂形状碳化硅消失模成型方法
459、单晶碳化硅纳米线/其制备方法以与包含所述单晶碳化硅纳米线过滤器
460、制造含碳碳化硅陶瓷方法
461、用于碳化硅器件边缘终端结构和制造包含该结构碳化硅器件方法
462、具有基于碳化硅非晶硅薄膜晶体管堆叠非易失性存储器与其制造方法
463、由再结晶碳化硅制成浸渍泡沫陶瓷
464、碳化硅单晶制造方法
465、铝-碳化硅复合体和使用该复合体散热零件
466、铝-碳化硅质复合体与其加工方法
467、制造碳化硅单晶方法
468、光控碳化硅和相关宽带隙晶体管以与可控硅元件
469、半绝缘外延碳化硅与相关宽带隙晶体管
470、碳化硅半导体装置与其制造方法
471、用于制造碳化硅衬底方法以与碳化硅衬底
472、用于改善碳化硅MOSFET中反型层迁移率方法
473、利用水溶性氧化剂碳化硅抛光方法
474、碳化硅半导体器件制造方法
475、处理包含碳化硅核燃料和使核燃料颗粒脱壳方法
476、制造碳化硅半导体装置方法
477、碳化硅半导体器件与其制造方法
478、无微管碳化硅与其相关制备方法
479、碳化硅半导体器件与其制造方法
480、碳化硅单晶制造方法
481、一种碳化硅泡沫陶瓷波纹板与其制备方法
482、一种提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能表面改性方法
483、提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能表面涂层制备方法
484、一种碳化硅陶瓷管状制品与其制备方法
485、碳化硅烛状过滤器制备方法
486、二硼化铪-碳化硅陶瓷热保护管制备方法
487、用于半导体单晶生长高纯碳化硅粉人工合成方法
488、碳化硅纳米线制备方法
489、一种炭 炭 碳化硅复合材料制备方法
490、一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷制备方法
491、从硅片切割加工副产物中回收碳化硅方法
492、碳化硅电热元件
493、一种碳化硅颗粒增强铝金属基复合材料轻型汽车制动盘
494、一种皮芯结构微孔碳化硅纤维与其制备方法
495、微孔碳化硅纤维与其制备方法
496、光学反射镜致密硅 碳化硅涂层制备方法
497、碳纤维增强碳化硅复合材料制备方法
498、一种碳化硅超疏水防腐木竹与其制备方法
499、一种碳化硅纳米纤维 炭纤维复合毡体制备方法
500、一种高耐温性碳化硅纤维制造方法
501、碳化硅陶瓷和金刚石复合拉拔模具制备方法
502、一种碳化硅水基凝胶浇注成型用有机碳源与成型工艺
503、碳化硅冶炼炉气输送/净化和提纯一氧化碳方法
504、石油钻探用金刚石-碳化硅复合钻齿与其制备方法
505、一种高纯超细碳化硅微粉回收提纯分级技术
506、碳化硅二次外延结构
507、一种碳化硅器件制备平坦化与侧壁钝化工艺
508、由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯方法
509、常压烧结微孔碳化硅石墨自润滑密封环与其制造方法
510、一种反应烧结碳化硅陶瓷与其生产方法
511、制氢用碳化硅纳米线催化剂制备方法与其用途
512、碳化硅 氧化铝-氧化钙核壳结构纳米复合粉体与制备方法
513、连续制备碳化硅晶须三室连续晶须生成真空炉
514、碳 碳化硅与铌或铌合金用复合箔片钎焊方法
515、碳 碳化硅与铌或铌合金用复合粉末钎焊方法
516、碳纳米管硼化锆-碳化硅基复合材料与其制备方法
517、一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料与其制备方法
518、一种伴有串状结构碳化硅纳米线与其制备方法
519、一种电镀镍-碳化硅复合电镀液
520、一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜制备方法
521、一种发光碳化硅薄膜制备方法
522、热化学交联制备碳化硅纤维方法与交联装置
523、升华法制备碳化硅纳米棒方法
524、鱼雷式铁水罐用改性氧化铝-碳化硅-碳砖与其制造方法
525、一种对炭材料进行碳化硅涂层方法
526、化学气相沉积碳化硅制品
527、碳化硅半导体装置制造方法
528、一种改善碳化硅陶瓷生产设备高磨损方法
529、碳化硅
530、具有氧化层碳化硅陶瓷部件
531、一种用于碳化硅欧姆电极结构与其制造方法
532、一种用于生长高质量碳化硅晶体籽晶托
533、一种氧化物结合碳化硅陶瓷膜管
534、碳化硅颗粒增强型锡银锌复合焊料与其制备方法
535、一种制备碳化硅方法
536、一种铝碳化硅封装外壳封接方法
537、纳米碳化硅 钇铝石榴石复合粉体制备方法
538、热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线方法
539、碳化硅舟清洗方法
540、碳化硅半导体装置制造方法
541、一种在钴基高温合金表面沉积碳化硅高辐射涂层方法
542、一种铜包覆碳化硅复合材料与其制备
543、碳化硅肖特基结式核电池与其制作方法
544、碳 碳化硅复合材料表面耐高温涂层制备方法
545、碳 碳化硅陶瓷基复合材料密度标定方法
546、碳 碳化硅复合材料制备方法
547、一种碳化硅橡胶耐磨材料与其制备方法
548、碳化硅多孔陶瓷过滤元件制备方法与挤压设备
549、一种复合结合氧化铝-碳化硅-(碳)系不定形耐火材料
550、包括碳化硅半导体处理部件与其化学处理方法
551、多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池
552、一种制作基本上没有台阶形貌碳化硅外延层方法
553、一种方镁石-尖晶石-碳化硅-碳复合材料与其制备方法
554、一种致密铝碳化硅质复合材料与其制备方法
555、一种碳硅化铝和碳化硅复合材料与其制备方法
556、一种无压烧结碳化硅加碳材料
557、一种碳化硅陶瓷制备方法
558、氧化铝-碳化硅复合粉体制备方法
559、低温烧成制备高性能氧化硅结合碳化硅耐火材料方法
560、一种复杂形状碳化硅熔模成型方法
561、一种碳 碳复合材料纳米碳化硅外涂层制备方法
562、碳 碳复合材料纳米碳化硅-硅化钼复合涂层制备方法
563、碳 碳复合材料碳化硅 磷酸铝防氧化复合涂层制备方法
564、一种硅晶圆线切割废砂浆中聚乙二醇和碳化硅回收方法
565、一种制备碳化硅纳米线方法
566、用于排蜡多孔碳化硅匣钵与其制造方法
567、一种碳化硅匣钵砖生产工艺
568、激光照射纳米碳化硅粉末材料制备碳化硅晶须方法
569、碳化硅半导体元件制造方法
570、碳化硅半导体元件与其制造方法
571、碳化硅半导体装置与其制造方法
572、改进碳化硅颗粒与其制造方法和使用方法
573、碳化硅半导体装置
574、一种锆铝硅碳-碳化硅复合材料与其制备方法
575、一种多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料制备方法
576、一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜方法
577、一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜方法
578、一种用废弃回收碳化硅生产高寿命脱硫喷粉枪方法
579、碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料与其制备方法
580、反应烧结碳化硅陶瓷与其生产工艺
581、纳米碳化硅增韧氧化铝防弹陶瓷制备方法
582、一种用废塑料低温制备立方碳化硅超细粉方法
583、一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管方法
584、一种碳化硅基增强复合陶瓷与制备方法
585、一种自愈合碳化硅陶瓷基复合材料制备方法
586、一种利用单芯炉冶炼碳化硅方法
587、一种生产塞隆 氮化硅复相结合碳化硅制品方法
588、碳 碳化硅复合材料内部缺陷厚度测量方法
589、碳化硅微粉分步除铁装置与方法
590、铝碳化硅碳炉底料与其制备方法
591、一种线切割用碳化硅微粉提纯净化工艺
592、一维纳米单晶管状碳化硅与其制备方法与应用
593、炭纤维增强炭-碳化硅双基体摩擦材料制备方法
594、绿碳化硅研磨抛光微粉生产方法
595、一种固相烧结碳化硅陶瓷制备方法
596、一种纳米碳纤维复合碳化硅陶瓷环与制备方法
597、碳化硅热交换管与其制备方法
598、双室结构碳化硅晶体生长装置
599、纳米碳化硅作锂离子电池负极材料
600、碳化硅陶瓷搅拌头
601、一种磷酸盐结合铝碳化硅砖与其制备方法
602、一种无焊接重结晶碳化硅发热体挤制成型工艺
603、水泥窑预热器内筒用重结晶碳化硅挂板与制备方法
604、水泥窑预热器内筒用反应烧结碳化硅挂板与制备方法
605、一种在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜方法
606、一种生物形貌碳化硅与分子筛复合材料制备方法
607、增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管与其制造方法
608、一种电泳共沉积制备梯度碳化硅涂层方法
609、在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯方法
610、微电子封装用铝碳化硅复合材料与可伐合金钎焊方法
611、制备碳化硅木陶瓷方法
612、一种制备碳化硅木质陶瓷方法
613、一种制备碳化硅薄膜方法
614、采用PECVD制备碳化硅薄膜方法
615、一种制备非晶碳化硅薄膜方法
616、小能量试验数据推算碳化硅灭磁电阻满足温度要求方法
617、一种碳化硅微粉制备方法
618、粗颗粒碳化硅制品一次反应烧成生产方法
619、硼化物增强型碳化硅陶瓷与其制备方法
620、一种碳纤维表面生成碳化硅涂层方法
621、碳化硅陶瓷管或棒制备方法
622、常压烧结碳化硅陶瓷制备方法
623、含碳碳化硅密封环与其制备方法
624、碳化硅短纤维增韧强化碳化硅陶瓷与其制备方法
625、二元纳米协同强化增韧碳化硅陶瓷与其制备方法
626、分离硅粉体与碳化硅粉体泡沫浮选方法
627、低能耗碳化硅(或其它金属非金属)多功能环保冶炼炉与工艺
628、一种掺杂金属碳化硅基纤维制备方法
629、碳化硅/氮化镓半导体器件玻璃钝化技术
630、铸造碳化硅
631、在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜方法
632、一种腊石碳化硅砖制备方法
633、一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法
634、一种基于硅烷偶联剂低温高致密碳化硅陶瓷制造方法
635、一种基于硅烷钛酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法
636、一种冶炼绿碳化硅方法
637、碳化硅复合材料应用
638、将碳化硅薄层移植到其他衬底上方法
639、采用离子注入在单晶硅衬底上形成碳化硅薄层方法
640、掺氮碳化硅薄膜形成方法
641、高纯碳化硅生产工艺
642、一种基于硅烷硼酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法
643、一种从铁超料中回收碳化硅微粉方法
644、一种回收碳化硅微粉方法
645、一种赛隆-碳化硅-刚玉复合耐火材料制备方法
646、含铟碳化硅物料中铟回收方法
647、一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶方法
648、一种碳化硅同质PIN微结构材料与其制作方法
649、一种在碳化硅基底上外延生长冷阴极场发射材料与方法
650、一种降低碳化硅晶体应力退火工艺
651、一种双尺度碳化硅泡沫陶瓷材料与其制备方法
652、一种基于硅烷铝锆双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法
653、CN 一种复相氮化物结合碳化硅泡沫陶瓷过滤器与其制备方法
654、使碳化硅单晶生长方法
655、碳化硅半导体器件
656、具有氮化硅粘合剂基于碳化硅烧结耐火材料
657、碳化硅半导体器件与其制造方法
658、集成基于氮化物和碳化硅器件以与制造集成基于氮化物器件方法
659、用于碳化硅器件双保护环边缘终端和制造具有双保护环边缘终端碳化硅器件方法
660、碳化硅半导体器件与其制造方法
661、使用水溶性氧化剂碳化硅抛光方法
662、从废弃晶片锯切浆回收硅和碳化硅方法和设备
663、在低度偏轴碳化硅基片上外延生长与利用其制造半导体器件
664、碳化硅单晶生长用籽晶与其制造方法和碳化硅单晶与其制造方法
665、金属渗透碳化硅钛和碳化铝钛坯体
666、耐体积变化氮氧化硅或氮氧化硅以与氮化硅粘结碳化硅耐火材料
667、用于制造碳化硅方法
668、碳化硅衬底/外延晶片和碳化硅衬底制造方法
669、自愈合碳 碳/碳 碳化硅复合材料制备方法
670、P型碳化硅器件与提高其欧姆接触性能方法
671、一种废塑料制备小尺寸碳化硅或氮化硅纳米颗粒方法
672、一种碳化硅纳米线制备方法
673、一种碳化硅-刚玉复合材质蜂窝蓄热体
674、一种利用植物纤维合成碳化硅纳米线方法
675、一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品方法
676、碳化硅半导体装置制造方法与碳化硅半导体装置
677、自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体方法
678、碳化硅半导体装置制造方法
679、在碳 碳复合材料表面制备碳化硅-焦硅酸镱复合涂层方法
680、从硅片切割加工砂浆中回收碳化硅简便化工业方法
681、碳化硅耐火材料中总硅含量测定方法
682、一种高固含量碳化硅浆料制备方法
683、一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜方法
684、一种中空结构碳化硅纳米材料制备方法
685、一种用于微机电系统碳化硅陶瓷薄膜制备方法
686、一种硅晶切割废液中回收聚乙二醇与碳化硅方法
687、一种硅晶切割废液处理方法与碳化硅漂洗装置
688、一种碳化硅超细微粉纯化方法
689、一种碳化硅超细微粉内溢流分级方法
690、一种致密碳化硅陶瓷制备方法
691、一种低温制备介孔碳化硅材料方法
692、基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法与其装置
693、一种高纯半绝缘碳化硅体单晶生长装置
694、一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷制备方法
695、一种高纯碳化硅微粉回收提纯和分级方法
696、用于氧化铝-碳化硅-碳砖表面抗氧化涂料
697、一种无水泥原位氮化硅结合碳化硅预制件与制备方法
698、一种碳化硅冶炼炉CO气体回收方法
699、一种碳化硅高温陶瓷窑具
700、多线切割机分段切割碳化硅晶体方法
701、一种清洗碳化硅晶片表面污染物方法
702、一种碳 碳复合材料纳米碳化硅-莫来石-二硅化钼复合外涂层制备方法
703、碳 碳复合材料纳米碳化硅-莫来石复合外涂层制备方法
704、碳化硅单晶制造装置
705、带浮置埋层碳化硅高压P型金属氧化物半导体管与方法
706、带浮置埋层碳化硅高压N型金属氧化物半导体管与方法
707、超大功率碳化硅冶炼炉用供电装置与碳化硅冶炼装置
708、利用稻壳制备微纳米直径碳化硅短纤维和晶须方法
709、一种碳化硅纳米无纺布与其制备方法
710、一种在硬质合金上为金刚石涂层制备金刚石-碳化硅-硅化钴复合中间层方法
711、一种碳化硅纳米线制备方法
712、超大功率碳化硅冶炼炉
713、镀氮化钛碳化硅纤维制备方法
714、碳化硅反射镜
715、一种基于PIN异质结构碳化硅基紫外探测材料制备方法
716、碳化硅指状肖特基接触式核电池
717、碳化硅环状肖特基接触式核电池
718、碳化硅栅状肖特基接触式核电池
719、一种碳化硅陶瓷基复合材料双重自愈合改性方法
720、一种碳化硅微粉分级副产品中分离碳化硅方法
721、热成型机重结晶碳化硅加热平台制作工艺
722、一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件方法
723、碳化硅泡沫陶瓷增强辐射吸收高温空气电阻炉
724、碳化硅-氧化硅陶瓷膜过滤管生产方法
725、碳纤维增强碳-碳化硅双基体材料制备方法
726、一种从农业废弃物低温合成碳化硅方法
727、一种多孔碳化硅纤维与其制备方法
728、一种耐高温微孔碳化硅纤维与其制备方法
729、硼化锆-碳化硅基层状超高温陶瓷复合材料制备方法
730、碳化硅半导体装置
731、一种超细氧化锆 碳化硅径向梯度分布纤维制备方法
732、一种超细氧化锆 碳化硅复合纤维制备方法
733、碳化硅半导体结构/器件与其制作方法
734、碳化硅莫来石质蓄热体复合材料与其制备方法
735、反应烧结碳化硅陶瓷件连接方法
736、一种新型碳化硅换热器制造方法
737、一种高纯亚纳米碳化硅微粉提纯方法
738、基于介电泳技术碳化硅纳米线定向有序排布方法
739、挤出成型碳化硅方梁制备方法
740、挤出成型碳化硅棚板制备方法
741、挤出成型反应烧结碳化硅方梁制备方法
742、一种原位生成碳化硅颗粒增强铝-硅基复合材料制备方法
743、大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷素坯凝胶注模成型工艺
744、基于碳化硅金属半导体场效应管结构β辐照探测器
745、基于碳化硅结型场效应管β辐照探测器
746、由单晶硅和多晶硅切割废料中回收硅和碳化硅方法
747、连续碳化硅纤维制备方法与其生产装置
748、基于碳化硅三极管β射线探测器
749、碳化硅陶瓷导液管制备方法
750、可激光焊接层状铝硅-铝碳化硅复合材料与其制备方法
751、一种碳化硅微粉改性剂制备方法
752、一种碳化硅质喷涂料配方
753、一种碳化硅防弹陶瓷
754、一种金属增韧碳化硅基复合陶瓷与制备方法
755、一种碳化硅防弹陶瓷制备方法
756、一种用磷肥副产硅胶生产碳化硅方法
757、一种新型碳化硅陶瓷与其制备方法
758、碳化硅高温陶瓷过滤管与其制备方法
759、一种高效碳化硅刚玉稀土陶瓷复合砂轮与其制造方法
760、一种由PCS纤维制备连续碳化硅纤维方法
761、焊接碳 碳化硅陶瓷基复合材料与钛铝基合金钎料与钎焊方法
762、一种提高碳化硅砂浆分散性能方法
763、碳化硅负压冶炼炉与其炉气回收方法
764、串联型双炉芯碳化硅冶炼炉
765、镀铜石墨和纳米碳化硅混杂增强铜基复合材料与其制备方法
766、一种制备氮化硅结合碳化硅复合陶瓷胶态成型工艺方法
767、一种莫来石轻质砖与碳化硅涂层复合材料与其制造方法
768、线切割用高纯超细碳化硅微粉水力溢流分级专用分散剂与其制备和使用方法
769、从硅片线切割加工废砂浆中回收碳化硅微粉和线切割液方法
770、一种碳化硅多孔陶瓷与其制备方法
771、一种钎焊铝碳化硅复合材料中温钎料与制备和钎焊方法
772、一种从硅片切削废液中回收碳化硅和聚乙二醇切削液方法
773、一种从硅片切割废砂浆中回收碳化硅和聚乙二醇切削液方法
774、氮化硅结合碳化硅大型坩埚制备方法
775、一种异型碳化硅制品制备方法
776、一种生产超厚氮化物结合碳化硅大异形制品方法
777、一种赛隆-石墨复合碳化硅材料与其制备方法
778、低摩擦系数碳化硅陶瓷密封件与其制备方法
779、碳化硅陶瓷制备方法
780、原位生长有碳纳米管碳化硅纤维立体织物与其复合材料与制备方法
781、一种金刚石 碳化硅陶瓷基复合材料制备方法
782、一种低成本制备二硼化锆 碳化硅复合粉料方法
783、碳化硅非线性电阻灭磁过程中在线监测装置和方法
784、低温制备碳化硅非晶薄膜与外延薄膜方法
785、一种碳化硅微粉和燃料柴油提取方法
786、一种高强高韧性二硼化锆-碳化硅-氧化锆陶瓷基复合材料与其制备方法
787、一种利用铝电解废碳化硅生产脱氧剂方法
788、一种铝电解槽废旧碳化硅侧壁材料处理方法
789、网络互穿结构铝碳化硅复合材料与其构件制备方法
790、一种微孔碳化硅材料制备方法
791、生产碳化硅去杂质沉降池
792、一种锌-碳化硅伪合金液搅拌方法
793、碳化硅微粉生产装置排放废水处理方法
794、一种用高密度料块生长碳化硅单晶方法
795、碳化硅陶瓷前驱体热固性聚硅烷树脂制备
796、一种碳化硅 碳化钛复相陶瓷制备方法
797、碳化硅 碳化钨复合材料与其制备方法
798、一种TiN涂层碳化硅纤维增强钛基复合材料与其制备方法
799、一种碳化硅回收方法
800、一种用油页岩废渣制备碳化硅粉体方法
801、一种以四氟化硅为原料生产高纯碳化硅和氟化氢方法
802、生产碳化硅单晶方法
803、碳化硅宝石
804、纳米碳化硅－氮化硅复相陶瓷与其制备方法
805、表面包敷与未包敷二氧化硅碳化硅纳米棒与制备方法
806、一种具有无裂纹抗氧化碳化硅涂层碳材料制备方法
807、碳化硅预制块制备工艺
808、金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法
809、具有金刚石涂层碳化硅宝石
810、碳化硅增强碳化硅复合物
811、耐火物质/尤其是碳和碳化硅化学气相渗填方法
812、无色碳化硅晶体生长
813、带式浇铸碳化硅等效薄片
814、碳化硅上锇整流肖特基和欧姆连接以与W WC TiC欧姆接触
815、制造无裂纹碳化硅扩散元件方法
816、碳化硅砂轮
817、碳 碳-碳化硅复合材料摩擦部件与其制造方法
818、用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
819、一种钛碳化硅粉末制备方法
820、冶炼碳化硅炉气回收装置
821、一种原位热压固-液相反应制备钛碳化硅体材料方法
822、泡沫碳化硅颗粒增强铝基复合材料与其制造工艺
823、碳化硅衬底与其制造方法以与使用碳化硅衬底半导体元件
824、碳化硅薄膜基座设计
825、表面待用碳化硅基体回收
826、碳化硅场控双极型开关
827、以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性分区半导体结构
828、具有预定α碳化硅区半导体结构与此半导体结构应用
829、通过注入掺杂制成碳化硅半导体热修复法
830、制备金刚石－碳化硅－硅复合材料方法和由该方法制备复合材料
831、碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构Ⅲ族氮化物光子器件
832、生长非常均匀碳化硅外延层
833、碳化硅半导体开关器件
834、制造碳化硅单晶方法和用于制造碳化硅单晶装置
835、高温自增强型碳化硅质耐火浇注料与其生产方法
836、一种纳米碳化硅晶须制备方法
837、碳化硅结合棕刚玉耐磨砖制作工艺
838、碳化硅质烧结材料制备方法
839、碳化硅激光器
840、辊道窑用碳化硅辊棒与其制造方法
841、一种制备纳米级碳化硅晶须 纤维方法
842、通过受控退火制造碳化硅功率器件方法
843、利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件自对准方法
844、碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件
845、半绝缘碳化硅基底上基于氮化物晶体管
846、碳化硅半导体结构上层叠电介质
847、氮化铝/碳化硅与氮化铝∶碳化硅合金块状单晶制备方法
848、射频功率碳化硅场效应晶体管互连方法和器件
849、块状碳化硅单晶生产
850、用氮化铝和氮化铝 碳化硅合金制成仿真钻石宝石
851、耐热冲击性高高纯硅化碳化硅
852、碳化硅复合物材料与其制备方法
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