点击查看购买方式

整流二极管、稳压二极管、二极管生产专利技术资料汇编


1、高精度电压调整二极管研制

  在稳压电路中,作为电压基准的稳压二极管,随着温度的变化,其稳定电压值亦会发生相应的变化。人们希望其变化越小越好。变化越小,意味着电路输出的电压越稳定,这对于电器产品来说是有益的,特别是航空、航天以及导弹的精确制导等,对该管的要求越来越高。为此,人们近年来在此领域不断的深入,以期制造出更为稳定的电压基准稳压二极管。叙述了制造稳压二极管的几种方案,重点研究以外延方式实现多层台面结构的PN结串联组合,达到正向pn结与反向pn结的温度系数相互补偿的目的,使其稳定电压值Vz随着温度的变化而相对保

2、一种块状整流二极管生产方法

  属于二极管生产技术领域。本发明在焊接之前把引线由串联在一起的料片式剪切为单体式,并根据要求的弯折度弯折成型,将块状整流二极管的生产流程改为焊接、压模成型直接到烘烤、测试、检验、入库。本发明提供的生产方法,一种块状整流二极管的生产方法,其特征在于:将串联在一起的料片式引线剪切为单体式,根据生产要求的弯折度弯折成型,在相应规格的焊接模盘凹槽内放入经过剪切的单体式引线,再进行焊片装填、晶粒装填、焊片装填和底板放置;然后进行焊接、压模成型、烘烤、电性测试和检验,得到块状整流二极管

3、用塑壳封闭压装式汽车整流二极管

  一种用塑壳封闭的压装式汽车整流二极管,属于汽车整流桥上使用的用塑壳封闭的压装式二极管。在圆盘形底座上制作环行槽,再将塑料壳下端插装在环行槽中,并用密封胶粘接,塑料壳为上端封闭的圆管形,上端壁的上部制作凹槽,该凹槽内填充密封胶,达到整流二极管被完全密封在塑料壳内,密封效果好,又不损伤二极管。塑料壳上端壁的下部制作凸台,以扩大塑料壳与引线接触面,增强整体结构的钢性,避免引线及芯片的位移,提高汽车整流二极管的可靠性和使用寿命。

4、一种稳压二极管制造工艺

  本发明涉及一种稳压二极管制造工艺,该工艺包括:选择硅片衬底,杂质掺杂,形成二氧化硅薄膜层,开沟槽,多晶硅钝化膜层沉积,玻璃胶层沉积,玻璃胶去除,玻璃胶层硬化,多晶硅钝化膜和二氧化硅薄膜去除,沉积金属层,从而实现了高工作电压稳压二极管的单芯片生产。

5、一种基于ZnO纳米线整流二极管制作方法

  涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法。本发明提供一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法,其步骤包括生长介质、制作ZnO纳米线定位标记、将ZnO纳米线转移并淀积在介质上、对ZnO纳米线进行定位、制作电极。本发明利用ZnO纳米线材料特性,经过上述工艺流程,制作出有别于传统PN结二极管整流特性的基于ZnO纳米线的整流二极管,基于ZnO纳米线的整流二极管在纳米光电子学和电子学、生物传感等领域具有潜在应用价值,本发明为以后制作纳米量级整流二极管器件带来了新的

6、单臂/桥式汽车整流二极管

  公开一种单臂桥式汽车整流二极管,它是将两只芯片焊接在同一只交流输入电极的两端,两只芯片分别通过正、负极铜粒子与正、负极散热板焊接,再用塑封料封装,形成串联的单臂桥式整流管。省略了两只单二极管之间的连接线和固定二极管的铜底座、塑料支架,减化了装配工序,提高生产效率,降低铜、塑料等材料消耗,降低整流桥的制造成本

7、一种稳压二极管制造工艺

  一种稳压二极管制造工艺,其特征在于:选择硅片衬底,该硅片衬底为N型<111>晶向,其表面电阻率为3.8~4.0Ω/cm,然后按以下步骤进行操作: 第一步,杂质掺杂,在所述硅片衬底上表面,采用B纸源通过热扩散方法进行掺杂,形成P区,该P 区表面掺杂浓度至少10↑[21]atm/cm↑[3],扩散深度为80-100μm; 第二步,在所述硅片衬底上表面形成一层二氧化硅薄膜层; 第三步,在所述硅片衬底上表面开沟槽,从而在所述硅片衬底上表面挖出至少一个PN结,形成对应个 数的二极管器件区; 第四步,在所述硅片衬底上表面,沉积一层厚度为0.2±0.05μm的多晶硅钝化膜层; 第五步,在所述多晶硅钝化膜层上形成一层玻璃胶层; 第六步,将所述二极管器件区的中央区域所对应的玻璃胶去除; 第七 步,将第六步去除玻璃后的其余玻璃胶层烧结硬化; 第八步,

8、二极管清洗液

  一种二极管清洗剂,其特征在于按重量百分比由下述组分组成:磷酸盐10-25%,无机碱5-10%,非离子表面活性剂0.5~5%,渗透剂15-30%,余量成分为去离子水30-69.5%。本发明的优越性和技术效果在于二极管清洗液采用磷酸盐和无机碱替代现有清洗剂中的三氯己烯等危险化学品,并且容易与二极管表面各种杂质发生化学反应,起到清洗二极管表面的作用,且清洗效果良好;不可燃、不爆炸,安全性好;工作成本低;是无毒、无害的环保

9、台面型玻璃钝化二极管芯片

  一种台面型玻璃钝化二极管芯片,包括采用不同的掺杂工艺,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上而在其交界面形成的PN结;以及位于台面侧壁包覆在PN结外部的钝化玻璃层;其特征在于所述玻璃钝化层位于所述PN结位置附近的剖面厚度大于所述玻璃钝化层位于所述沟槽底部附近的剖面厚度

10、高频电镀用快恢复整流二极管与制造方法

  一种具有高频率特性,既适合高电压、又适合高电流密度的30KHz/2~5KA/(200~400)V的高频电镀用快恢复整流二极管及其制造方法,采用N型(100)径向单晶硅片,电阻率ρn为5~9Ω-cm,直径为48~70mm,厚度为175~185μm的单晶硅片;硅片扩散,在1250℃下进行双面一次扩散;扩散片检测;磷硅、硼硅玻璃吸收,从1250℃缓慢降温到1050℃,速率为1℃/分,恒温吸收2~3小时;继续慢降温,直至炉温降到600℃后出炉,使少子寿命τp达到12~16μS;低温扩铂,将少子寿命τp控制在4~6μS;再用12Mev电子辐照,使基区少子寿命τp为0.9~1.1μs;在硅片两面蒸镀钛-镍-金、经台面喷砂造型,去砂、清洗、腐蚀


11、具整流电路发光二极管封装装置
12、有机薄膜齐纳二极管
13、使用齐纳二极管类器件内存阵列控制方法
14、离子注入稳压二极管芯片制造方法
15、硅半导体器件玻璃钝化工艺
16、低压齐纳二极管制作方法
17、优化齐纳二极管偏置电流电路
18、整流二极管/专用于制造整流二极管芯片以与制造方法
19、一种台面整流器件玻璃钝化形成工艺
20、采用同步整流场效应三极管驱动器中比较器探测相位体二极管系统和方法
21、整流二极管/专用于制造整流二极管芯片
22、基于变容二极管环形振荡器
23、齐纳二极管与其制造方法
24、有金属氧化物半导体变容二极管半导体器件与制造方法
25、用于减少同步整流器体二极管传导方法和装置
26、齐纳二极管与其制造和封装方法
27、结合整流电路于次载具发光二极管发光装置与制造方法
28、发电机用整流二极管
29、具有集成变容二极管有源像素传感器单元
30、使用隔离阱MOS变容二极管
31、二极管清洗液
32、整流二极管装置与制造方法
33、变容二极管调谐预选器设计方法
34、由无铅玻璃钝化电子元件制造方法
35、玻璃介质激光工作物质表面微裂纹溶蚀钝化处理方法
36、齐纳二极管
37、变容二极管
38、利用齐纳二极管稳压单元与稳压装置
39、自整流发光二极管照明灯
40、整流二极管结构
41、散热片上整流二极管裸晶体结构
42、电源整流二极管保护电路与具有所述保护电路电视机
43、模拟变容二极管
44、一种设计稳压二极管方法
45、硅整流器件电泳法玻璃钝化工艺
46、硅整流器件刀刮法玻璃钝化工艺
47、一种快恢复硅整流二极管芯片制造方法
48、包括具有变容二极管平衡混频器混频电路
49、一种齐纳二极管与其BCD工艺制造方法
50、齐纳二极管与其制造方法
51、铁合金引线整流用电子二极管与其制备方法
52、并行变容二极管电容器
53、具有横向MOS晶体管和齐纳二极管半导体器件
54、一种整流/检波用二极管针接触件
55、一种稳压用二极管针接触件
56、一种块状整流二极管生产方法
57、使用了变容二极管可变调谐电路以与电视调谐器
58、硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法
59、16000A 200~400V电焊机专用雪崩整流二极管及其制造方法
60、一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法
61、变容二极管与其制造方法
62、用于制造由无铅玻璃钝化电子元件方法
63、快恢复大电流整流二极管模块
64、纳米硅变容二极管与其加工方法
65、用于桥式整流电路中二极管吸收电路
66、自对准形成齐纳二极管方法
67、高稳定性齐纳二极管与其制造方法
68、变容二极管用硅外延材料制备方法
69、一种整流二极管生产工艺
70、采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性方法
71、一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管方法
72、一种硅双向触发二极管制造方法
73、一种二极管酸洗工艺
74、二极管表面油/蜡以与残胶清除方法
75、一次焊接机动车用硅雪崩整流二极管生产方法
76、基于变容二极管电荷泵
77、一种汽车整流器激磁二极管封装固定结构
78、一种汽车整流器二极管引线焊点
79、一种汽车整流器二极管散热壳结构
80、一种汽车整流器二极管散热壳
81、铜包钢硅塑封整流二极管
82、一种整流二极管
83、汽车整流器二极管引线焊点
84、汽车整流器激磁二极管封装固定结构
85、整流发光二极管装置
86、一种汽车整流器二极管散热壳
87、汽车整流器二极管散热壳结构
88、节能型整流二极管
89、一种工作于开关频率整流二极管电路
90、半导体材料和有机整流二极管
91、用塑壳封闭压装式汽车整流二极管
92、单臂桥式汽车整流二极管
93、一种稳压二极管制造工艺
94、一种大功率雪崩整流二极管生产方法
95、无铅二极管台面制作工艺
96、玻璃钝化硅晶圆背面激光切割方法
97、硅平面半导体器件玻璃钝化方法
98、门极和阴极间采用玻璃钝化保护可控硅器件与制造方法
99、环氧塑封压入式汽车整流二极管制造方法
100、高频电镀用快恢复整流二极管与其制造方法
101、塑壳封闭式压装式汽车整流二极管
102、酸洗板
103、整流二极管
104、压入式汽车整流二极管外壳
105、焊接式汽车整流二极管底座
106、整流二极管
107、水压式整流二极管保护装置
108、台面型玻璃钝化二极管芯片
109、一种车用整流二极管
110、一种太阳能组件接线盒硅整流二极管连接结构
111、二极管超声清洗架
112、门极和阴极间采用玻璃钝化保护可控硅器件
113、环氧塑封压入式汽车整流二极管
114、玻璃钝化封装瞬态电压抑制二极管结构
115、齐纳二极管辅助触发互补型SCR结构
116、一种带稳压二极管保护LED灯
117、台面半导体器件玻璃钝化工艺
118、稳压二极管
119、装有整体式整流二极管汽车用硅整流发电机
120、碳化硅超快速高温整流二极管
121、整流二极管制造方法
122、圆形玻璃钝化二极体晶粒制法
123、圆形玻璃钝化二极体晶粒制法
124、变容二极管与其制作方法
125、大台面电力半导体器件玻璃钝化方法
126、全切面结玻璃钝化硅半导体二极管芯片与其制造方法
127、变容二极管和制造变容二极管方法
128、表面粘着型整流二极管制作方法



资料内容:

专利全文资料里面有详细的工艺、原理、配方等介绍,是相关专业技术人员和企业不可缺少的宝贵资料。
资料是文字形式刻录在光盘里面,内容为PDF格式(光盘内附有PDF阅读软件)购买后在电脑上用PDF阅读软件直接打开阅读、打印
业务咨询 QQ:85055174 手机 13131158129





 

超人科技  版权所有
Email:jiang6718@163.com
电话:15333234908 13131158129 在线 QQ:85055174 38965611

冀ICP备05019821-1号