1、单晶硅双面抛光加工理论及工艺研究

　　根据超精密加工机床设计要求，提出了双面抛光机总体设计方案，在分析精密双面抛光机的控制要求及设计方案的基础上，研制了超精密双面抛光机的控制系统，详细介绍了实现该机控制的各部分硬件系统、自动加工控制流程和人机交互的控制界面，并对研制的设备进行了运行及检测。通过研究晶片、抛光垫与行星轮三者之间的运动关系，建立了行星式双面抛光运动轨迹数学模型，利用MATLAB软件分析了不同位置、不同抛光盘转速、不同转速比下的相对运动轨迹状态及对抛光质量的影响，然后根据研究抛光盘上的任一点相对工件运动轨迹密度分布均匀来建立抛光均..............共72页

2、铈基抛光粉的制备及其在CMP中的应用

　　采用多种方法来制备铈基抛光粉，以期提高它们的抛光性能和方法的经济可行性。以大颗粒水合丙酸铈结晶为前驱体，通过简单的煅烧来合成纳米级氧化铈。研究了煅烧温度对合成产物物理性能的影响。结果表明：在丙酸铈热分解过程中，大晶体先解理成条块状，再断裂成更小的纳米氧化铈。用激光散射法测得的中位粒径先减小而后又增大，在1000℃时呈最小值，为460nm。XRD、SEM和TEM的观察结果表明：在该温度下煅烧得到了一次粒子为20-30nm的立方萤石型氧化铈；它们对冕玻璃(K9)和火石玻璃(F1)的抛光速率随煅烧温度的升高在1000℃呈极大值，与粒度变化的最小值，研究了各种浆料对光学玻璃和硅芯片的抛光速率。结果发现：抛光速率与CeO2浆料的悬浮稳定成正比关系..............共108页

3、氧化铝/聚丙烯酰胺复合磨粒的制备及其抛光性能的研究

　　随着先进电子技术的飞速发展，对产品加工精度和表面质量的要求越来越高。化学机械抛光(chemical mechanical polishing，简称CMP)技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技术，可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化。化学机械抛光液是CMP中关键的要素，而磨粒是化学机械抛光液中关键成分之一，其性能直接影响抛光后材料的表面质量。超细氧化铝是CMP常用磨粒，由于其易团聚及硬度大，抛光过程中易引起划痕，为此用化学接枝改性方法对超细氧化铝进行了表面改性，使丙烯酰胺在硅烷偶联剂处..............共62页

4、半导体硅片化学机械抛光电化学与抛光速率研究

　　运用电化学方法，以溶液化学、腐蚀电化学原理、摩擦磨损原理、流体力学边界层等相关理论为指导，采用旋转圆盘电极，系统研究和探讨了n(100)、n(111)、p(100)、p(111)半导体硅片在纳米SiO2抛光浆料中的成膜行为、CMP中的电化学行为、抛光速率及CMP过程机理等。研究的内容及获得的主要结论如下： 运用电化学直流极化和交流阻抗技术，研究了半导体硅片在纳米SiO2抛光浆料中的腐蚀行为，探讨了pn值、SiO2固含量、成膜时间和双氧水浓度等因素对成膜性质的影响。结果表明，pH值严重影响硅片的成膜，pH值为10.5时的钝化膜最厚，电化学阻抗图谱(EIS)测试结果显示，钝化膜厚度大约为5.989A；SiO2固含量对硅片的腐蚀成膜没有影响；双..............共78页

5、二氧化硅介质层CMP抛光液配方的研究

　　随着集成电路(IC)产业的飞速发展，IC特征尺寸不断缩小，硅片尺寸不断增大，IC工艺变得越来越复杂和精细。这对芯片内部层间介质的表面质量提出了更高的要求，要求介质层表面必须进行全局平坦化，而传统的抛光工艺已不能满足要求。化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现芯片全局平面化的实用技术和核心技术，正广泛地应用于IC制造中。然而，由于其工艺的复杂性，人们对CMP机理以及抛光液的作用仍缺乏深入的认识，许多方面还需要进行深入地研究。在CMP过程中，抛光液对被加工表面具有化学腐蚀和机械研磨的..............共65页


6、超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
7、金属表面抛光液
8、不锈钢表面化学抛光液及化学抛光方法
9、金属表面抛光溶液及抛光工艺
10、不锈钢表面化学抛光浴液及方法
11、不锈钢表面化学抛光浴液及方法
12、用于不锈钢表面化学抛光的抛光液和方法
13、化合物半导体化学抛光腐蚀液
14、用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
15、不锈钢抛光液
16、用于化学机械平面加工的含过氧化物抛光液的稳定方法
17、在半导体晶片化学机械抛光时输送抛光液的系统
18、输送基片机械抛光研磨悬浮液的设备和方法
19、一种无腐蚀脉冲电化学抛光溶液及工艺
20、用于金属和金属氧化物的结构化处理的抛光液和方法
21、铝型材抛光液无能耗简易回收法
22、纳米级抛光液及其制备方法
23、用于钛的电解抛光的电解液组合物及其使用方法
24、化学机械抛光后半导体表面的清洗溶液
25、一种浮法抛光液膜厚度测量装置
26、磁流变抛光液及其制备方法
27、用于化学机械抛光研磨液组合物的氧化剂
28、用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
29、用于抛光低介电材料的化学机械抛光液
30、用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
31、一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
32、用于电解抛光的电解液以及电解抛光方法
33、非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用
34、用于铝的化学机械抛光的浆液
35、抛光液传输设备
36、一种数控抛光用非接触式轮状喷液磨头
37、一种低介电材料抛光液
38、金属抛光液和使用该金属抛光液的抛光方法
39、高效高精度蓝宝石抛光液及其制备方法
40、一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液
41、一种数控抛光用气封抽液非接触式喷液磨头
42、抛光液恒温输送装置
43、磁流变抛光液流变性测试装置
44、可长时稳定抛光液性能的磁流变抛光液循环装置
45、用于光学加工的水基磁流变抛光液及其制备方法
46、一种水基纳米金刚石抛光液及其制造方法
47、用于铜布线化学机械抛光的清洗液提供装置
48、硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
49、一种化学机械抛光液
50、钨抛光溶液
51、硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用
52、高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液
53、核/壳型纳米粒子研磨剂抛光液组合物及其制备方法
54、抛光液和抛光有色金属材料的方法
55、铂化学机械抛光用的溶液
56、化学抛光液
57、抛光液组合物
58、化学机械抛光浆液
59、抛光方法及研磨液
60、一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液
61、抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法
62、用于金属布线的化学机械抛光的浆液组合物
63、一种有机碱腐蚀介质的稀土抛光液
64、阻挡层抛光溶液
65、化学机械抛光铜表面用的腐蚀延迟抛光浆液
66、使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液
67、用于化学机械平坦化的多步抛光液
68、一种不锈钢表面快速化学研磨抛光浴液及方法
69、一种数控抛光用非接触式喷液磨头
70、集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液
71、可选择性阻隔金属的抛光液
72、钛镍合金电化学抛光液
73、用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液
74、用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液
75、用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液
76、用于计算机硬盘基片化学机械抛光的抛光液
77、用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液及平整化方法
78、半导体锑化铟化学机械抛光液
79、蓝宝石衬底材料抛光液及其制备方法
80、硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法
81、电子玻璃的纳米SiO2磨料抛光液
82、超大规模集成电路铝布线抛光液
83、用于磷酸氧钛钾晶体的化学机械抛光液
84、具有增强的抛光均匀性的二氧化铈浆液组合物
85、一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液
86、超大规模集成电路多层布线SiO2介质的纳米SiO2磨料抛光液
87、化学机械抛光液
88、化学机械抛光液及其用途
89、抛光液
90、金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置
91、高精度复合抛光液及其生产方法、用途
92、高精度抛光液及其生产方法、用途
93、可除去聚合物阻挡层的抛光浆液
94、抛光液体
95、水性抛光液和化学机械抛光方法
96、水基金刚石抛光液及其制备方法
97、一种碱性硅晶片抛光液
98、电解抛光液和其平坦化金属层的方法
99、抛光液以及抛光Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶片的方法
100、一种精密抛光晶片用有机物清洗液
101、化学机械抛光废液分流收集装置及其收集方法
102、阻挡层用抛光液
103、碱性计算机硬盘抛光液及其生产方法
104、一种蓝宝石衬底化学机械抛光浆液
105、多组分阻挡层抛光液
106、一种高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法
107、微晶玻璃加工用纳米二氧化硅磨料抛光液及其制备方法
108、H62黄铜抛光液及其制备方法
109、抛光液自动滴液装置
110、抛光溶液
111、用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法
112、一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法
113、一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法
114、一种金属抛光液及其制备方法
115、用于化学机械抛光的系统、方法与研磨液
116、一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法
117、一种钨抛光液及其制备方法
118、一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法
119、一种用于硬盘基片的抛光液及其制备方法
120、一种除藻型抛光液
121、一种防冻型抛光液及其制备方法
122、用于化学机械抛光的抛光浆液和方法
123、用于抛光低介电材料的抛光液
124、用于抛光低介电材料的抛光液
125、一种含有混合磨料的低介电材料抛光液
126、抛光液
127、半导体硅片化学机械抛光用清洗液
128、低粘度稳定的非水基磁流变抛光液及其配制方法
129、制造半导体元件的方法及其化学机械抛光系统
130、使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法
131、半导体晶片,抛光装置和方法
132、半导体晶片抛光浆料供应量的控制
133、用于在半导体表面进行淀积和抛光的方法和装置
134、对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置
135、用于半导体晶片抛光系统的载具的多流体供应设备
136、半导体材料的电解抛光方法及装置
137、半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫
138、用于半导体晶片的抛光组合物
139、研磨垫其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法
140、用于将半导体晶片固定在化学-机械抛光设备中的固定环
141、用于将半导体晶片固定在化学-机械抛光设备中的固定环
142、用于控制半导体晶片中金属互连去除速率的抛光组合物
143、用来减少对半导体晶片侵蚀的抛光组合物
144、半导体器件的制造方法抛光方法及抛光装置
145、Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
146、半导体晶片抛光过程中的光学终点检测装置和方法
147、用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物
148、未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法
149、用于半导体晶圆的化学机械抛光机的装载装置
150、用于连续成形一种用作半导体抛光垫片的均一片材的工艺和设备
151、半导体器件制造方法和抛光装置
152、半导体晶片精密化学机械抛光剂
153、用于化学机械抛光的透明多微孔材料
154、具有研磨粒子的抛光材料及其制造方法
155、供化学机械抛光用的透明微孔材料
156、管形脆性材料内表面抛光方法和由该方法得到的材料
157、用于化学机械抛光的多层抛光垫材料
158、高性能稀土精密抛光材料的制造方法
159、用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
160、用于抛光导电材料的抛光组合物和方法
161、用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物
162、用于硅上液晶器件的铝化学机械抛光回蚀
163、一种单晶硅抛光片热处理工艺
164、半导体芯片封装设备和抛光处理半导体芯片封装的方法
165、具有抛光和接地底面部分的半导体芯片
166、抛光含硅电介质的方法
167、失效稀土抛光粉的再生方法
168、稀土抛光粉的生产方法
169、使用高岭土生产抛光粉的方法
170、稀土精矿制备高铈钠米量级稀土抛光粉的方法
171、稀土抛光粉的制备方法
172、以二氧化铈为主体的超细精密抛光粉的制备方法及抛光粉
173、一种富铈稀土抛光粉的生产方法
174、超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
175、用于钌的化学机械抛光的溶液
176、半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液
177、抛光液组合物
178、铜化学－机械抛光工艺用抛光液

赠送抛光材料、抛光粉生产文献资料

179、InSb半导体材料的抛光液研究
180、pH值和浓度对CeO2抛光液性能影响的研究
181、半导体单晶抛光片清洗工艺分析
182、纳米金刚石计算机磁头抛光液的研制及应用
183、半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展
184、超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究
185、超高精度大直径硅片表面超声浮动抛光
186、超细氧化铝抛光液的制备及其抛光特性研究
187、磁流变抛光液的研制
188、磁头抛光液用金刚石超微粉研究
189、纳米金刚石抛光液制备及应用
190、微电子器件制备中CMP抛光技术与抛光液的研究
191、硅晶片抛光加工工艺的试验研究
192、硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析
193、化学机械抛光中抛光液流动的微极性分析
194、基于DOE优化设计抛光工艺参数
195、基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型
196、铝合金碱性抛光液及其工艺条件
197、铝和铝合金碱性化学抛光液及工艺的研究
198、纳米SiO2粒子抛光液的制备及其抛光性能